ЕЛЕКТРОФІЗИЧНЕ ДІАГНОСТУВАННЯ НАДІЙНОСТІ СУБМІКРОННИХ СТРУКТУР ВЕЛИКИХ ІНТЕГРАЛЬНИХ СХЕМ ЗА ЕФЕКТАМИ НЕЛІНІЙНОСТІ ЇХ ХАРАКТЕРИСТИК
Ключові слова:
субмікронні структури ВІС, тестові структури, електрофізичне діагностування, конструкторсько-технологічні обмеження проектних норм.Анотація
Сучасний стан розвитку світової електронної промисловості характеризується неперервним підвищенням вимог до надійності виробів твердотільної електроніки, мікроелектроніки, оптоелектроніки. Пошук оптимальних шляхів забезпечення цих вимог вказав на необхідність глибокого розуміння фізики явищ, які призводять до відказів ВІС, та відмов надійності. Фізичний підхід до забезпечення надійності напівпровідникових приладів сформувався ще в 70-80-ті роки. На сьогоднішньому етапі це необхідно зробити і для субмікронних структур ВІС, на що вказують матеріали даної статті.
Посилання
2. Новосядлий С.П. Тестовий контроль електрофізичних параметрів структур в системній технології високого рівня // Вимірювальна та обчислювальна техніка в технологічних процесах. – 1999. – No2. – С.58-64.
3. Новосядлий С.П. Електрофізичне діагностування надійності структур ВІС // Вісник НУ “Львівська політехніка”. Радіоелектроніка та телекомунікації. – 1999. – No367. – С.187-197.
4. Новосядлий С.П. Аналітичні фізико-хімічні методи аналізу і контролю в системній технології ВІС // Вимірювальна та обчислювальна техніка в технологічних процесах. – 1999. – No3. – С.30-38.
5. Новосядлий С.П. Технологічна САПР на основі тестових структур. // Фізика і хімія твердого тіла. – 2002. – Т.3, No1. – С.179-189.
6. А. с. СССР No 1259817. Способ контроля интегральных схем / Р.А. Владимирський, В.В. Гаврилов, А.С. Очков, Д.В. Шабалов – Опубл. в БК. – 1988. – No 14. – 3 с.
7. Новосядлий С.П., Запухляк Р.І., Мельник П.І. Прогнозування надійності структур великих інтегральних схем за допомогою імпульсних нерівноважних вольт-фарадних характеристик // Фізика і хімія твердого тіла. – 2005. – Т.6, No1. – С.153-160.