PHYSICAL-TECHNOLOGICAL ASPECTS OF SIMULATION OF SILICON AND GALLIUM ARSENIDE LOW-TEMPERATURE EPITAXIAL LAYERED STRUCTURES
Keywords:
epitaxy, mono-sillicon, gallium arsenide, defect formation of discrepancy, heterostructure, superlatticesAbstract
It was considered the questions of the growing technology of monosilicon and gallium arsenide epitaxial layers, which are used to create components of large integrated circuits. The processes of low-temperature epitaxy and their models in the formation of sub-micron structures of LSI both on mono-Si and on GaAs have been investigated. This technology allows for the formation of GaAs structures on Si-substrates.
References
1. Новосядлий С.П. Суб- і наномікронна технологія структур ВІС /С.П. Новосядлий. – Івано-Франківськ: Місто НВ, 2010. – 454 с.
2. Новосядлий С.П. Мезепіпланарна технологія – як основа в організації субмікронних суміжних Ві-К-Д-МОН структур ВІС / С.П. Новосядлий, В.М. Бережанський // Восточно-Европейский журнал передовых технологий. – 2007. – Т.25. – No.1(1). – C. 40-45.
3. Патент України на корисну модель No68203. Спосіб формування епітаксійних арсенід-галієвих шарів на монокристалічних кремнієвих підкладках / С.П. Новосядлий , В.М. Вівчарук , Т.П. Кіндрат. – No u201104229; заявл. 07.04.2011; опубл. 26.03.2012, бюл. No6.
4. Круковский С. И. Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs/n-GaAs-AlGaAs / С.И. Круковский, Ю.Е. Николаенко // Технологии и конструкции в электронной аппаратуре. – 2003. – No.6. – C. 39-40.
5.Shimokawa, R. Very low temperature epitaxial of Silicon Films for Solar Cells / R. Shimokawa, M. Yamanaka, I. Sakata // Jap. Journal of Applied Physics. – 2007. – Vol.46. – No12. – P. 7612-7618.
6. Мильвидский М. Г. Структурные дефекты в эпитаксиальных слоях полупроводников / М.Г. Мильвидский, В.Б. Освенский. – М.: Металлургия, – 1985. – 144 с.
2. Новосядлий С.П. Мезепіпланарна технологія – як основа в організації субмікронних суміжних Ві-К-Д-МОН структур ВІС / С.П. Новосядлий, В.М. Бережанський // Восточно-Европейский журнал передовых технологий. – 2007. – Т.25. – No.1(1). – C. 40-45.
3. Патент України на корисну модель No68203. Спосіб формування епітаксійних арсенід-галієвих шарів на монокристалічних кремнієвих підкладках / С.П. Новосядлий , В.М. Вівчарук , Т.П. Кіндрат. – No u201104229; заявл. 07.04.2011; опубл. 26.03.2012, бюл. No6.
4. Круковский С. И. Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs/n-GaAs-AlGaAs / С.И. Круковский, Ю.Е. Николаенко // Технологии и конструкции в электронной аппаратуре. – 2003. – No.6. – C. 39-40.
5.Shimokawa, R. Very low temperature epitaxial of Silicon Films for Solar Cells / R. Shimokawa, M. Yamanaka, I. Sakata // Jap. Journal of Applied Physics. – 2007. – Vol.46. – No12. – P. 7612-7618.
6. Мильвидский М. Г. Структурные дефекты в эпитаксиальных слоях полупроводников / М.Г. Мильвидский, В.Б. Освенский. – М.: Металлургия, – 1985. – 144 с.
Downloads
Published
2019-02-09
How to Cite
Новосядлий, С. П., Терлецький, А. І., & Фрик, О. Б. (2019). PHYSICAL-TECHNOLOGICAL ASPECTS OF SIMULATION OF SILICON AND GALLIUM ARSENIDE LOW-TEMPERATURE EPITAXIAL LAYERED STRUCTURES. PRECARPATHIAN BULLETIN OF THE SHEVCHENKO SCIENTIFIC SOCIETY. Number, (1(45), 63–79. Retrieved from https://pvntsh.nung.edu.ua/index.php/number/article/view/14
Issue
Section
Mathematics and Mechanics
