MODELLING OF GAS-PHASE PHOTOSISTULUS PROCESSES OF SUBMICRONIC STRUCTURES LSI/VLSI
DOI:
https://doi.org/10.31471/2304-7399-2018-2(46)-61-118Keywords:
submicron technology, deposition, etching of layers, epi- taxy, photon annealing-activation.Abstract
Modern submicron technology of epitaxial GaAs-layout on monosilicon substrates requires significant development and improvement of precision low-temperature methods for the formation of functional layout in properties that are not inferior to layers formed by high-temperature methods. Today, in order to increase the speed and impedance of submicron combined silicon and arsenide-based structures, the LSI/VLSI is intensively searching for new high-efficient technological operations for the formation of their structures, which would reduce the temperature of deposition of functional layers and increase the temperature stability of concentration profiles and charge state. The submicron technology of forming LSI/ VLSI structures has been developed, which includes a whole complex of studies of unique processes of gas-phase photo stimulating processes: oxidation, etching of epitaxy, diffusion, implantation, activation of impurities, and reduction of low-level hidden contacts. Particularly relevant today are processes of submicron technology, which do not change the concentration profiles of homo- and heterojunction in the process of formation of the structures of the LSI and are highly stimulating in reducing the time of execution of the technological route for short microcycles in the individual processing of mono-Si substrates of large diameter (> 150 mm).
In this paper, the essence of the conducted researches in the given processes of submicron technology LSI/VLSI, which increase them as resolution, and charge stability, is disclosed.
References
Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками / Под ред. Дж.М. Поута и др. / Пер. с англ. Под ред. А.А. Углова. – М.: Машиностроение, 1987. – 424 с.
Индуцированные лазером химические процессы: Под ред. Дж. Стейнфилда. – М.: Мир, 1994. – 428 с.
Новосядлий С.П. Суб- і наномікронна технологія структур ВІС: монографія. – Івано-Франківськ: Місто НВ, 2010. – 455 с.
Новосядлий С.П. Високоефективні структури ФЕП: монографія. – Івано-Франківськ: Плай, 2015. – 354 с.
Новосядлий С.П., Терлецький А.І. Діагностика субмікронних структур ВІС: монографія. – Івано-Франківськ: Сімик, 2016. – 478 с.
Новосядлий С.П., Терлецький А.І., Фрик О.Б. Сучасні твердофазні технологічні процеси в субмікронній технології ВІС // Східно-
Європейський журнал передових технологій – 7/7 (45:2008).
Novosyadlyj, B. Dzundza, V. Gryga, Sv. Novosyadlyj, M. Kotyk, V. Mandzyuk. Research into constructive and technological features of epitaxial gallium-arsenide structures formation on silicon substrates // Eastern-European journal of enterprise technologies. – 2017.- N3/5 (87). – p.p. 54 – 71.
Валиев К. А. Микроэлектроника. Достижение и пути развития — М.: Наука, 1989. – 285 с.
Вершинський Ю.Ф., Гронський С.П., и др. Установка для лазерного генерирования дефектов полупроводниковых пластин // Электронная промышленность. – 1990. – No5. – с. 5-7.
С.А. Атейчик, В.В. Бонша, В.Б. Гурський, Ю.П. Попов. Формирование субмикронных контактных окон методом лазерной вакуумной литографии // Электронная промышленность. – 1990. – No1. – с. 5-7.
Новосядлий С.П, Бойко С.І. Конрструктивно-аналітичний аналіз польових гетеротранзисторів високої швидкодії для субмікронних структур ВІС/НВІС. Збірник наукових праць “Вісник НТУ “ХПІ” серія Механіко-технологічні системи та комплекси”. – 2015. – No36(1145). – с. 5-7.
Новосядлий С.П., Терлецький А.І., Фрик О.Б. Формування КМОН схем на GaAs із самосуміщеними нітридними та силіцидними затворами // Фізика і хімія твердого тіла. – 2014. – Том 15, No4. – с. 420-424.
Патент на винахід No113891. Спосіб локальної ізоляції елементів пористим прооксидованим кремнієм в субмікронних структурах великих інтегральних схем // Новосядлий С.П., Варварук В.М., Мелник Л.В, Бойко С.І. Державний вищий навчальний заклад “Прикарпатський національний університет ім. В.Стефаника”, опубл. 27.03.2017.
