МОДЕРНІЗАЦІЯ МЕТОДІВ РАСТРОВОЇ ЕЛЕКТРОННОЇ МІКРОСКОПІЇ ДЛЯ ЕЛЕКТРОФІЗИЧНОГО ДІАГНОСТУВАННЯ ТА ШЛЯХИ ЗНИЖЕННЯ ПОГОННИХ ОПОРІВ, ІНДУКТИВНОСТЕЙ І ЄМНОСТЕЙ БАГАТОРІВНЕВОЇ РОЗВОДКИ СУБМІКРОННИХ СТРУКТУР ВЕЛИКИХ ІНТЕГРАЛЬНИХ СХЕМ

Автор(и)

  • Роман Богданович Атаманюк Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника

Ключові слова:

мікроелектроніка, субмікронні структури великих інтегральних схем, субмікронні технології, погонний опір, індуктивність, ємність.

Анотація

Основна тенденція сучасної мікроелектроніки – зменшення розмірів елементів структур ВІС до субмікронних топологічних розмірів, тобто перехід до наноелектроніки – до структур та елементів з розмірами нанометрів. Растрова електронна мікроскопія залишається основним діагностичним методом, який використовується на всіх етапах розробки і виготовлення субмікронних структур. РЕМ дозволяє вимірювати поверхневі структури з високою роздільною здатністю 2⋅10-3-2⋅10-2 мкм, спостерігати топографічні та композиційні неоднорідності з просторовою роздільною здатністю 5⋅10-2 мкм, визначати характеристики і дефекти субмікронних p-n- переходів з локальністю 5⋅10-2 мкм на глибині, меншій за 1 мкм. Величина контактів метал / напівпровідник залежить від різних параметрів самої системи: робіт випаду, поверхневої концентрації легуючої домішки, типу провідності Si-підкладок, чистоти поверхні Si-пластин перед осадженням металу.
Для субмікронної технології пропонуються як нові матеріали і технології, так і нові контактні структури, які успішно розв’язують проблему зниження контактного опору, а також проблему мінімізації утворення хіллоків, які практично визначають корозійну стійкість металізації.

Посилання

1. Новосядлий С.П. Електрофізичне діагностування надійності структур ВІС / С.П. Новосядлий // Вісник ДУ”Львівська політехніка”. Радіоелектроніка та телекомунікації. – 1999. – No367. – С. 187-197.
2. Новосядлий С.П. Тестовий контроль електрофізичних параметрів структур в системній технології високого рівня / С.П. Новосядлий // Вимірювальна та обчислювальна техніка в технологічних процесах. – 1999. – No2. – С. 58-64.
3. Новосядлий С.П. Аналітичні фізико-хімічні методи аналізу і контролю в системній технології ВІС / С.П. Новосядлий // Вимірювальна та обчислювальна техніка в технологічних процесах. – 1999. – No1(3). – С. 30-38.
4. Спенс Д.Ж. Экпериментальная электронная микроскопия высокого разрешения: пер.с англ. / Д.Ж. Спенс. – М.: Наука, 1986. – 410 с.
5. Растровая электронная микроскопия и рентгеновский микроанализ / Д.Ж. Гоулдстейн и др. – М.: Мир, 1984. – Кн.1-2. – 568 с.
6. Новосядлий С.П. Механізми формування плівок дисиліциду титану в реакторі зниженого тиску на основі аморфного кремнію / С.П. Новосядлий // Металофізика і новітні технології. – 2001. – No23(5). – С. 597-608.
7. Новосядлий С.П. Активація домішок в субмікронній технології формування структур ВІС / С.П. Новосядлий // Металофізика і новітні технології. – 2002. – No24(6). – С. 777-791.
8. Вербицький В.Г. Ионные нанотехнологии в электронике / В.Г. Вербицкий. – Киев, 2002. – 369 с. (2002).
9. Новосядлий С.П. Фізико-технологічні основи субмікронної технології великих інтегральних схем / С.П. Новосядлий. – Івано-Франківськ: Сімик, 2003. – 350 с.
10. Новосядлий С.П. Субмікронна технологія високовольтних біполярних і ВІ-К-МОН ВІС / С.П. Новосядлий // Вісник Прикарпатського національного університету ім.В.Стефаника. Математика і фізика. – 2000. – Вип.1. – С. 125-129.
11. Новосядлий С.П. Полікремнієва спейсерна технологія формування субмікронних контактів ВІС / С.П. Новосядлий // Труды II Международной научно-практической конф. ”Современные информационные и электронные технологии”. – Одесса, 2001. – С. 263-264.
12. Авт.св.СССР No1771333 от 22.06.1992/С.П. Новосядлый, И.Т. Когут, В.Н. Худин. Способ изготовления МДП-структур, ДСП-2с.

Опубліковано

2019-03-08

Як цитувати

Атаманюк, Р. Б. (2019). МОДЕРНІЗАЦІЯ МЕТОДІВ РАСТРОВОЇ ЕЛЕКТРОННОЇ МІКРОСКОПІЇ ДЛЯ ЕЛЕКТРОФІЗИЧНОГО ДІАГНОСТУВАННЯ ТА ШЛЯХИ ЗНИЖЕННЯ ПОГОННИХ ОПОРІВ, ІНДУКТИВНОСТЕЙ І ЄМНОСТЕЙ БАГАТОРІВНЕВОЇ РОЗВОДКИ СУБМІКРОННИХ СТРУКТУР ВЕЛИКИХ ІНТЕГРАЛЬНИХ СХЕМ. PRECARPATHIAN BULLETIN OF THE SHEVCHENKO SCIENTIFIC SOCIETY Number, (1(5), 135-154. вилучено із https://pvntsh.nung.edu.ua/index.php/number/article/view/319

Номер

Розділ

Фізика і хімія твердого тіла