COMPENSATION METHOD FOR FUNCTIONAL SIMULATION OF SUBMICRON VLSI CIRCUITS

Authors

  • Степан Петрович Новосядлий Vasyl Stefanyk Precarpathian National University
  • Володимир Михайлович Бережанський Vasyl Stefanyk Precarpathian National University
  • Сергій Іванович Бойко Vasyl Stefanyk Precarpathian National University

Keywords:

functional modelling, compensation method, submicron structures, non-inertial circuit elements.

Abstract

Designing complex electronic devices it is important to know how the signal is converted as it passes from input to output of device or system.
There are two cases of such modeling, in the first case VLSI circuit is modeled based on physical approach by method of circuit simulation, in the second case – on the basis of information approach by functional modeling.
The goal of the compensation method is elimination of frequency dependent phase shift by using correcting RC-circuit. It transforms inertial circuit elements in non-inertial, non-linear in linear.
This method is developed with aim to increase performance of signal CAD. For proper operation of CAD it is necessary to develop a library of active elements with a certain cutoff frequency and power with corresponding RC-correlators.

References

1. Новосядлий С.П. Комп’ютерне моделювання арсенід галієвих супер-бета-транзисторів на гетероструктурах для швидкодійних ВІСС.П. Новосядлий, В.С. Гузік // Фізика і хімія твердого тіла. – 2015. – Т.16, No3. – С. 592-598.
2. Новосядлий С.П. Суб- і наномікронна технологія структур ВІСС.П. Новосядлий. – Івано-Франківськ: Місто НВ, 2010. – 455 с.
4. Розробкатехнологіїбагатозарядної іонноїімплантаціїGaAsдля субмікроннихструктур BІC / С.П. Новосядлий, C.I. Бойко, Л.В. Мельник, С.В. Новосядлий // Східно-Європейський журнал новітніх технологій. – 2015. – No6/5(78). – С. 32-40.
5. Новосядлий С.П. Шляхи підвищення швидкодії GaAs польових транзисторів Шоткі та селективно легованих гетеротранзисторів (СЛГТ) для формування сучасних HBЧ-схем / С.П. Новосядлий, І.М. Луцький //Фізика і хімія твердого тіла. – 2015. – Т.16, No2. – С. 413-419.
6. Новосядлий С.П. Діагностикасубмікронних структур ВІС: монографія / С.П. Новосядлий, А.І. Терлецький. – Івано-Франківськ: Сімик, 2016. – 478 с.

Published

2019-02-13

How to Cite

Новосядлий, С. П., Бережанський, В. М., & Бойко, С. І. (2019). COMPENSATION METHOD FOR FUNCTIONAL SIMULATION OF SUBMICRON VLSI CIRCUITS. PRECARPATHIAN BULLETIN OF THE SHEVCHENKO SCIENTIFIC SOCIETY. Number, (1(37), 98–107. Retrieved from https://pvntsh.nung.edu.ua/index.php/number/article/view/70

Issue

Section

Mathematics and Mechanics