COMPUTER SIMULATION OF PERFORMANCE OF “IZMIR” MEASURING COMPUTER SYSTEM IN HIGH-SPEED LSI/VLSI
Keywords:
large integrated circuits, measuring system, supercon- ducting connections, FETs, system performance.Abstract
The possibilities of improving of performance both LSI/VLSI and computer measuring systems by decreasing of operating temperature to cryogenic level for cases of high conductive or superconducting wiring. It was shown that system performance depends on parameters of connecting lines and structures of active elements LSI/VLSI at cryogenic temperatures due to the growing mobility of charge carriers. It was demonstrated also that the use of superconducting wiring (routing) is effective only on condition of significant improvement options SFETs as active elements LSI (memory, microprocessors, microcontrollers, etc.).
References
2. Новосядлий С.П. Діагностика субмікронних структур ВІС / С.П. Новосядлий, А.І. Терлецький. – Івано-Франківськ: Сімик, 2016. – 478 с.
3. Розробка технології багатозарядної іонної імплантації GaAs для субмікронних структур ВІС / С.П. Новосядлий, С.І. Бойко, Л.В. Мельник, С. В. Новосядлий // Східно-Європейський журнал передових технологій. – 2015. – Т. 18, No 6/5. – C. 32-40.
4. Новосядлий С.П. Патент на корисну модель No 68203 МПК Н01L21/20 від 26.03.12. Спосіб формування епітаксійних арсенід-галієвих шарів на монокристалічних кремнієвих підкладках /С.П. Новосядлий, В.М. Вівчарук, Т.П. Кіндрат. – Опубл. Бюлетень Інституту промислової власності No 6 від 26.03.12.
5. Золотухин И. В. Физические свойства аморфных металлических материалов / И. В. Золотухин. – М: Металлургия, 1986. – 176 с.
6. Елинсон К. Н. Проблема межсоединений в современной микроэлектронике / К. Н. Елинсон, А. А. Суханов // Микроэлектроника. – 1984. – Т. 13, вып. 3. – С. 179-195.
7. Superconductors as very hight-speed system-level interconnects / O.K. Kwon, B. W. Langley, R. F. Pease et al // IEEE Electr. Dev. Letters. – 1987. – v.8, No.2. – Р. 582-587.
8. Новосядлий С.П. Комп’ютерне моделювання арсенідгалієвих супербета-транзисторів на гетероструктурах для швидкодіючих ВІС / С. П. Новосядлий, В. С. Гузік // Фізика і хімія твердого тіла. – 2015. – Т.16, No 3. – С. 592-598.
9. Новосядлий С. П. Варізонна технологія формування структур швидкодіючих GaAs-транзисторів як основи сучасних ВІС // С. П. Новосядлий, А. М. Босацький // Фізика і хімія твердого тіла. – 2015. – Т.16, No 1. – С. 222-229.