КОМП’ЮТЕРНЕ МОДЕЛЮВАННЯ ШВИДКОДІЇ ВИМІРЮВАЛЬНОЇ ОБЧИСЛЮВАЛЬНОЇ СИСТЕМИ “ІЗМІР” НА ШВИДКІСНИХ ВІС/НВІС

Автор(и)

  • Степан Петрович Новосядлий Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника
  • Андрій Іванович Терлецький Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника
  • Оксана Богданівна Фрик Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника

Ключові слова:

великі інтегральні схеми, вимірювальна система, надпровідникові з’єднання, польові транзистори, швидкодія систем.

Анотація

Розглянуто можливості підвищення швидкодії як ВІС/НВІС, так і комп’ютерних вимірювальних систем шляхом зниження робочої температури до кріогенного рівня для випадків використання високо- або надпровідного розведення. Показано, що за кріогенних температур швидкодія системи залежить як від параметрів ліній зв’язку, так і активних елементів структур ВІС/НВІС, що зумовлено зростанням рухливості носіїв заряду. Також продемонстровано, що використання надпровідного розведення дає виграш тільки у разі значного поліпшення параметрів швидкісних ПТШ-транзисторів як активних елементів ВІС (пам’яті, мікропроцесорів, мікроконтролерів тощо).

Посилання

1. Новосядлий С.П. Суб- і наномікронна технологія структур ВІС / С.П. Новосядлий. – Івано-Франківськ: Місто НВ, 2010. – 456 с.
2. Новосядлий С.П. Діагностика субмікронних структур ВІС / С.П. Новосядлий, А.І. Терлецький. – Івано-Франківськ: Сімик, 2016. – 478 с.
3. Розробка технології багатозарядної іонної імплантації GaAs для субмікронних структур ВІС / С.П. Новосядлий, С.І. Бойко, Л.В. Мельник, С. В. Новосядлий // Східно-Європейський журнал передових технологій. – 2015. – Т. 18, No 6/5. – C. 32-40.
4. Новосядлий С.П. Патент на корисну модель No 68203 МПК Н01L21/20 від 26.03.12. Спосіб формування епітаксійних арсенід-галієвих шарів на монокристалічних кремнієвих підкладках /С.П. Новосядлий, В.М. Вівчарук, Т.П. Кіндрат. – Опубл. Бюлетень Інституту промислової власності No 6 від 26.03.12.
5. Золотухин И. В. Физические свойства аморфных металлических материалов / И. В. Золотухин. – М: Металлургия, 1986. – 176 с.
6. Елинсон К. Н. Проблема межсоединений в современной микроэлектронике / К. Н. Елинсон, А. А. Суханов // Микроэлектроника. – 1984. – Т. 13, вып. 3. – С. 179-195.
7. Superconductors as very hight-speed system-level interconnects / O.K. Kwon, B. W. Langley, R. F. Pease et al // IEEE Electr. Dev. Letters. – 1987. – v.8, No.2. – Р. 582-587.
8. Новосядлий С.П. Комп’ютерне моделювання арсенідгалієвих супербета-транзисторів на гетероструктурах для швидкодіючих ВІС / С. П. Новосядлий, В. С. Гузік // Фізика і хімія твердого тіла. – 2015. – Т.16, No 3. – С. 592-598.
9. Новосядлий С. П. Варізонна технологія формування структур швидкодіючих GaAs-транзисторів як основи сучасних ВІС // С. П. Новосядлий, А. М. Босацький // Фізика і хімія твердого тіла. – 2015. – Т.16, No 1. – С. 222-229.

##submission.downloads##

Опубліковано

2019-02-12

Як цитувати

Новосядлий, С. П., Терлецький, А. І., & Фрик, О. Б. (2019). КОМП’ЮТЕРНЕ МОДЕЛЮВАННЯ ШВИДКОДІЇ ВИМІРЮВАЛЬНОЇ ОБЧИСЛЮВАЛЬНОЇ СИСТЕМИ “ІЗМІР” НА ШВИДКІСНИХ ВІС/НВІС. PRECARPATHIAN BULLETIN OF THE SHEVCHENKO SCIENTIFIC SOCIETY Number, (2(38), 97-104. вилучено із https://pvntsh.nung.edu.ua/index.php/number/article/view/39

Номер

Розділ

Математика та механіка

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають