ELECTROPHYSICAL DIAGNOSIS OF THE LARGE SCALE INTEGRATION SUBMICRON STRUCTURES RELIABILITY BASED ON THE EFFECTS OF THE NONLINEARITY OF THEIR CHARACTERISTICS
Keywords:
submicron LSI-circuit structure, test structure, electrophysi- cal diagnostics, engineering and design limitation of rule.Abstract
Nowadays the development of the world electronic industry is characterized by constant increase of the reliability requirements to the products of the solid-state electronics, microelectronics and optoelectronics. The search for the optimal ways of the fulfillment of these requirements showed the necessity of deep understanding of the physics of phenomena, which cause the breakdown of the LSI and increase of the importance of their reliability. The physical approach to the provision of the reliability of semi-conductors was formed in the 70-80-ies. Nowadays it should be also done for the submicron LSI structures. This is the problem we describe in our article.
References
1. Новосядлий С.П. Фізико-технологічні основи субмікронної технології великих інтегральних схем. – Івано-Франківськ: Сімик. – 2003. – 200 с.
2. Новосядлий С.П. Тестовий контроль електрофізичних параметрів структур в системній технології високого рівня // Вимірювальна та обчислювальна техніка в технологічних процесах. – 1999. – No2. – С.58-64.
3. Новосядлий С.П. Електрофізичне діагностування надійності структур ВІС // Вісник НУ “Львівська політехніка”. Радіоелектроніка та телекомунікації. – 1999. – No367. – С.187-197.
4. Новосядлий С.П. Аналітичні фізико-хімічні методи аналізу і контролю в системній технології ВІС // Вимірювальна та обчислювальна техніка в технологічних процесах. – 1999. – No3. – С.30-38.
5. Новосядлий С.П. Технологічна САПР на основі тестових структур. // Фізика і хімія твердого тіла. – 2002. – Т.3, No1. – С.179-189.
6. А. с. СССР No 1259817. Способ контроля интегральных схем / Р.А. Владимирський, В.В. Гаврилов, А.С. Очков, Д.В. Шабалов – Опубл. в БК. – 1988. – No 14. – 3 с.
7. Новосядлий С.П., Запухляк Р.І., Мельник П.І. Прогнозування надійності структур великих інтегральних схем за допомогою імпульсних нерівноважних вольт-фарадних характеристик // Фізика і хімія твердого тіла. – 2005. – Т.6, No1. – С.153-160.
2. Новосядлий С.П. Тестовий контроль електрофізичних параметрів структур в системній технології високого рівня // Вимірювальна та обчислювальна техніка в технологічних процесах. – 1999. – No2. – С.58-64.
3. Новосядлий С.П. Електрофізичне діагностування надійності структур ВІС // Вісник НУ “Львівська політехніка”. Радіоелектроніка та телекомунікації. – 1999. – No367. – С.187-197.
4. Новосядлий С.П. Аналітичні фізико-хімічні методи аналізу і контролю в системній технології ВІС // Вимірювальна та обчислювальна техніка в технологічних процесах. – 1999. – No3. – С.30-38.
5. Новосядлий С.П. Технологічна САПР на основі тестових структур. // Фізика і хімія твердого тіла. – 2002. – Т.3, No1. – С.179-189.
6. А. с. СССР No 1259817. Способ контроля интегральных схем / Р.А. Владимирський, В.В. Гаврилов, А.С. Очков, Д.В. Шабалов – Опубл. в БК. – 1988. – No 14. – 3 с.
7. Новосядлий С.П., Запухляк Р.І., Мельник П.І. Прогнозування надійності структур великих інтегральних схем за допомогою імпульсних нерівноважних вольт-фарадних характеристик // Фізика і хімія твердого тіла. – 2005. – Т.6, No1. – С.153-160.
Downloads
Published
2019-03-08
How to Cite
Новосядлий, С. П., & Фрик, О. Б. (2019). ELECTROPHYSICAL DIAGNOSIS OF THE LARGE SCALE INTEGRATION SUBMICRON STRUCTURES RELIABILITY BASED ON THE EFFECTS OF THE NONLINEARITY OF THEIR CHARACTERISTICS. PRECARPATHIAN BULLETIN OF THE SHEVCHENKO SCIENTIFIC SOCIETY. Number, (1(1), 182–190. Retrieved from https://pvntsh.nung.edu.ua/index.php/number/article/view/350
