LOCAL КНІ-STRUCTURES - PERSPECTIVE MATERIAL FOR INTEGRATED МІКРОСИСТЕМ-ON-CRYSTAL
Keywords:
silicon-on-insulator(SOI), microsystem-on-chip, device tech- nological simulation, 3-D elements.Abstract
An original method of fabrication of the local 3-dimensional “silicon-on-insulator” (SOI) structures is developed and a device-technological simulation for this method is provided. It’s showed, on the base of such structures are possibilities for creating the different elements of integrated microsystem-on-chip to design with the standart, planar constructions, as well as with the 3-dimensional architectures. On the base of such SOI-structures some microsystem elements were developed and their electrical characterics were investigated.
References
1. Климов Д.М., Васильев А.А., Лучинин В.В., Мальцев П.П. Перспективы развития микросистемной техники в XXI веке // Микросистемная техника. – 1999. – No 1. – С. 3-6.
2. В.Г. Вербицкий. Ионные нанотехнологии в электронике. Монография.– К.: МП Леся, 2002. – С.7-8.
3. Jean-Pierre Collinge, Silicon-on-Insulator Technology: materials to VLSI, 2nd Edition, by Kluwer Academic Publishers, 1997.
4. Physical and Technical Problems of SOI Structures and Devices. Ed. by J.-P. Collinge, V.S. Lysenko and A.N. Nazarov. 1995 Kluwer Academic Pudlishers, Printed in Netherlands. NATO ASI Series 3: High Technology. – 1995. – Vol.4. – P.41- 48.
5. A. Druzhynin, I. Kogut. Digital CMOS ARRAY based on SOI Structures // Electron Technology, Warshawa. – 1999. – Vol.32, No. 1-2. – P.142-145.
6. Патент України на корисну модель No 29701UA. Контакт в інтегральних пристроях зі структурами «кремній-на-ізоляторі»/ Когут І.Т., Дружинін А.О.,
Голота В.І. Опубл. 25.01.2008, бюл. No1.
7. Патент України на корисну модель No29698UA «Ключовий елемент на діодах Шотткі зі структурами «кремній-на-ізоляторі» /Когут І.Т., Голота В.І., Дружинін А.О., – Опубл. 25.01.2008, бюл. No1.
2. В.Г. Вербицкий. Ионные нанотехнологии в электронике. Монография.– К.: МП Леся, 2002. – С.7-8.
3. Jean-Pierre Collinge, Silicon-on-Insulator Technology: materials to VLSI, 2nd Edition, by Kluwer Academic Publishers, 1997.
4. Physical and Technical Problems of SOI Structures and Devices. Ed. by J.-P. Collinge, V.S. Lysenko and A.N. Nazarov. 1995 Kluwer Academic Pudlishers, Printed in Netherlands. NATO ASI Series 3: High Technology. – 1995. – Vol.4. – P.41- 48.
5. A. Druzhynin, I. Kogut. Digital CMOS ARRAY based on SOI Structures // Electron Technology, Warshawa. – 1999. – Vol.32, No. 1-2. – P.142-145.
6. Патент України на корисну модель No 29701UA. Контакт в інтегральних пристроях зі структурами «кремній-на-ізоляторі»/ Когут І.Т., Дружинін А.О.,
Голота В.І. Опубл. 25.01.2008, бюл. No1.
7. Патент України на корисну модель No29698UA «Ключовий елемент на діодах Шотткі зі структурами «кремній-на-ізоляторі» /Когут І.Т., Голота В.І., Дружинін А.О., – Опубл. 25.01.2008, бюл. No1.
Downloads
Published
2019-03-08
How to Cite
Когут, І. Т. (2019). LOCAL КНІ-STRUCTURES - PERSPECTIVE MATERIAL FOR INTEGRATED МІКРОСИСТЕМ-ON-CRYSTAL. PRECARPATHIAN BULLETIN OF THE SHEVCHENKO SCIENTIFIC SOCIETY. Number, (1(1), 164–172. Retrieved from https://pvntsh.nung.edu.ua/index.php/number/article/view/348
