ТЕРМОДИНАМІКА ТОЧКОВИХ ДЕФЕКТІВ ТА ЇХ ВПЛИВ НА ФІЗИКО-ХІМІЧНІ ВЛАСТИВОСТІ КРИСТАЛІВ КАДМІЙ ТЕЛУРИДУ (ОГЛЯД)

Автор(и)

  • Дмитро Михайлович Фреїк Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника
  • Ігор Володимирович Горічок Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника

Ключові слова:

фізико-хімічні властивості телуриду кадмію, крис- тал, точкові дефекти, енергія утворення, енергія іонізації.

Анотація

Наведено аналіз основних типів власних точкових дефектів у кристаллах телуриду кадмію та їх енергетичних параметрів – енергії утворення, енергії іонізації, зміни частоти коливань атомів в околі дефектів. Встановлено, що відсутність однозначних експериментальних та теоретичних даних про дефектну підсистему є основною причиною існуючої невизначеності під час інтерпретації фізико-хімічних властивостей кадмій телуриду.

Посилання

1. Медведева С.А. Физика и химия соединений АIIBVI / С.А. Медведєва. – М.: Мир, 1970.
2. Nobel D. Phase equilibria and semiconducting properties of cadmium telluride / D. Nobel // Phil. Res. Repts. – 1959. – V.14. – P. 361-492.
3. Иванов Ю.М. Область гомогенности теллурида кадмия / Ю.М. Иванов, В.А. Лейбов, А.В. Ванюков // Рефераты, доклады и сообщения XII Менделеевского сьезда по общей и прикладной химии. – М.: Наука, 1981. – Т.1. – С. 50-51.
4. Медведев С.А. Собственные точечные дефекты в нелегированном теллуриде кадмия / С.А. Медведев, В.Н. Мартынов, С.П. Кобелева // Кристаллография. – 1983. –Т.28. – No3. – C. 556-561.
5. Мартынов В.Н. О возможности существования антиструктурных дефектов в нелегированном теллуриде кадмия / В.Н. Мартынов, С.П. Кобелева // Кристаллография. – 1983. – Т. 28. – No 2. – С. 394.
6. Глазов B.M. Область гомогенности на основе теллурида кадмия в системе кадмий-теллур / В.М. Глазов, Л.М. Павлова // Неорганические материалы. – 1994. – Т. 30. – No 5. – С. 629-634.
7. Greenberg J.H. P-T-X phase equilibrium and vapor pressure scanning of non-stoichiometry in the CdeZneTe system / J.H. Greenberg // Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials. – 2003. – V. 47. – P. 196-238.
8. Grill R. Point defects and diffusion in cadmium telluride / R. Grill, А. Zappettini // Progress in crystal growth and characterization of materials. – 2004. – V. 48/49. – P. 209-244.
9. Fang R. CdTe I: solidus curve and composition-temperature-tellurium partial pressure data for Te-rich CdTe(s) from optical density measurement / R. Fang, R.F. Brebrick // J. Phys. Chem Solids. – 1996. – V. 57, No 4. – P. 440–450.
10. Brebrick R.F. CdTe II: defect chemistry / R.F. Brebrick, R. Fang // J. Phys. Chem Solids. – 1996. – V. l57. – No 4. – P. 451-460.
11. Greenberg J.H. P-T-X phase equilibrium and vapor pressure scanning of non-stoichiometry in the Cd–Zn–Te system / J.H. Greenberg // Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials. – 2003. – V. 47. – P. 196-238.
12. Greenberg J.H. Vapor pressure scanning implications of CdTe crystal growth / J.H. Greenberg // Journal of Crystal Growth. – 1999. –V. 197 –P. 406–412.
13. Vapor-phase stoichiometry and heat treatment of CdTe starting material for physical vapor transport / Ching-Hua Su, Yi-Gao Sha, S.L. Lehoczky, Hao-Chieh Liu, R. Fang, R.F. Brebrick // Journal of Crystal Growth. – 1998. –V. 183. – P. 519-524.
14. Несмеянов А.Н. Давление пара химических элементов / А.Н. Несмеянов. – М.: Изд-во АН СССР, 1961.
15. Аскеров Б.М. Электронные явления переноса в полупроводниках / Б.М. Аскеров. – М.: Наука, 1985.
16. Karazhanov S.Zh. Ab initio studies of band parameters of AIII B V and A II BVI zinc-blende semiconductors / S.Zh. Karazhanov, L.C. Lew Yan Voon // ФТП. – 2005. – Т. 39. – No2. – C. 177-188.
17. Su-Hua Wei. Electronic structure of II-VI compounds and their alloys role of cation d bands / Su-Hua Wei, А. Zunger // Journal of Crystal Growth. – 1988. – V. 86. – P. 1-7.
18. Refractive index of CdTe: Spectral and temperature dependence / Р. Hlıdek, J. Bok, J. Franc, R. Grill // Journal of applied physics. – 2001. – V. 90. – No. 3. –P. 1672-1674.
19. Berding M.A. Native defects in CdTe / М.А. Berding // Phys. Rev. – 1999. –V. 60. – No 12. – P. 8943-8950.
20. Параметры энергетического спектра електронов и дырок кубических халькогенидов кадмия и цинка / Г.П. Алиев, О.С. Кощуг, А.И. Несвижский, Р.С. Сейсян, Т.В. Язева // ФТТ. – 1992. –Т. 34. – No 8. – С. 3293-3299.
21. High temperature mobility of CdTe / J. Franc, R. Grill, L. Turjanska, H. Hoschl, E. Belas, P. Moravec // Journal of Applied Physics. – 2001. – V.89. – No 1. –P. 786-788.
22. Лугуева Н.В. Исследование влияния дефектов структуры на теплопроводность поликристаллических образцов ZnS, ZnSe, CdTe / Н.В. Лугуева, С.М. Лугуев // Химия и компьютерное моделирование. Бутлеровские сообщения. –2002. –Приложение к спецвыпуску No 10. – С. 200-203.
23. High-temperature defect structure of Cd- and Te-rich CdTe / R. Grill, J. Franc, P. Höschl, I. Turkevych, E. Belas, P. Moravec, M. Fiederle, K.W. Benz // IEEE Transactions on Nuclear Science. –2002. –V. 49. – No3. – Р. 1270-1274.
24. Li Yujie. Point defects in CdTe / Li Yujie, Ma Guoli, Jie Wanqi // Journal of Crystal Growth. – 2003. – V. 256. – P. 266-275.
25. Segall B. Electrical properties of n-type CdTe / B. Segall, M.R. Lorenz, R.E. Halsted // Phys. Rev. –1963. –V. 129. – No 6. –Р. 2471-2481.
26. High-temperature electron and hole mobility in CdTe / I. Turkevych, R. Grill, J. Franc, E. Belas, P. Hoschl, P. Moravec // Semicond. Sci. Technol. –2002. –V. 17. – P. 1064-1066.
27. Телурид кадмію і домішково-дефектні стани та детекторні властивості / Д.В. Корбутяк, С.В. Мельничук, Є.В. Корбут, М.М. Борисик. – К.: Іван Федоров, 2000. – 198 с.
28. Особливості фотолюмінесценції компенсованих монокристалів CdTe:Cl (огляд) / Д.В. Корбутяк, С.Г. Крилюк, Ю.В. Крюченко, І.Д. Вапняк // Оптоелектроника и полупроводниковая техника. – 2002. – Т. 37. – С. 23-40.
29. Characterization of CdTe crystals grown by the Vertical Bridgman method / M. Fiederle, A. Fauler, V. Babentsov, J. Franc, J. Konrath, M. Webel, J. Ludwig, K.W. Benz // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A. – 2003. – V. 509. – P. 70-75.
30. Rudolph P. Fundamental studies of Bridgman growth of CdTe /P. Rudolph // Prog. Crystal Growth and Charact. –1994. – V.29. – P. 275- 381.
31. Cadmium zinc telluride and its use as a nuclear radiation detector material / T.E. Schlesinger, J.E. Toneyb, H. Yoonc, E.Y. Leed, B.A. Brunett, L. Franks, R.B. James / Materials Science and Engineering. – 2001. – V. 32. – P. 103-189.
32. Attempts to growth of undoped CdTe single crystals with high electrical resistivity / P. Rudolph, S. Kawasaki, S. Yamashita, S. Yamamoto Y. Usuki, Y. Konagaya, S. Matada, T. Fukuda // Journal of Crystal Growth. – 1996. – V. 161 – P. 28-33.
33. Rudolph P. Systematic steps towards exactly stoichiometric and uncompensated CdTe Bridgman crystals / P. Rudolph, U. Rinas, K. Jacobs // Journal of Crystal Growth. – 1994. – V. 138. – P. 249-254.
34. Rudolph P. Non-stoichiometry related defects at the melt growth of semiconductor compound crystals – a review / P. Rudolph // Cryst. Res. Technol. – 2003. – V. 38. – No 7-8. – P. 542-554.
35. Rudolph P. Basic problems of vertical Bridgman growth of CdTe /P. Rudolph, M. Mtihlberg // Materials Science and Engineering. – 1993. – V.16/ – P. 8-16.
36. Casting of undoped CdTe crystals with high electrical resistivity / P. Rudolph, S. Kawasaki, S. Yamashita, Y. Usuki, Y. Konagaya, S. Matada, S. Yamamoto, T. Fukuda // Journal of Crystal Growth. – 1995. – V.149. – P. 201-206.
37. Halsted R.E. Band edge emission properties of CdTe / R.E. Halsted, N.It. Lobenz, B. Segall B. // J. Phys. Chem. Solids. – 1961. – V.22. – P. 109- 116.
38. Deep energy levels in CdTe and CdZnTe / A. Castaldini, A. Cavallini, B. Fraboni, P. Fernandez, J. Piqueras // Journal of Applied Physics. – 1998. – V.83. – No 4. – P. 2121-2126.
39. Compensation and deep levels in II-VI compounds / A. Castaldini, A. Cavallini, B. Frabonia, L. Polentaa, P. Fernandezb, J. Piquerasb // Materials Science and Engineering. – 1996. – V. B42. – P. 302-305.
40. Smith F.T. Electrically active point defects in cadmium telluride / F.T. Smith // Metal. Trans. –1970. –V.1. – No 3. – P. 617-621.
41. Zanio K.R. Characterization of foreign atoms and native defects in single crystals of cadmium telluride by high-temperature conductivity measurements / K.R. Zanio // Applied physics letters. – 1969. – V.15. – No8. – Р. 260-262.
42. Chern S.S. The defect structure of CdTe: Hall data / S.S. Chern, H.R. Vydyanath, F.A. Kroger // J. Phys. Chem. Solids. – 1975. – V.14. – No1. – P. 33-43.
43. Фочук П.М. Природа домінуючих точкових дефектів у кристалах CdTe: Область насичення Cd / П.М. Фочук, О.Е. Панчук, Л.П. Щербак // Фізика і хімія твердого тілаю. – 2004. –Т.5. – No 1. –С. 136-141.
44. Фочук П.М. Розрахунок констант впровадження легуючих елементів в CdTe / П.М. Фочук, О.О. Коров’янко, О.Е. Панчук // Фізика і хімія твердого тіла. – 2001. –Т.2. – No3. – С. 475-480.
45. Фреїк Д.М. Атомні дефекти та їх компенсація у чистому і легованому телуриді кадмію / Д.М. Фреїк, В.В. Прокопів, У.М. Писклинець // Фізика і хімія твердого тіла. – 2004. – Т.4. – No 3. – С. 547-555.
46. Фреїк Д.М. Термодинамічний n-p перехід у кристалах телуриду кадмію / Д.М. Фреїк, В.В. Прокопів, У.М. Писклинець // Фізика і хімія твердого тіла. – 2002. – Т.3. – No1. – С. 58-61.
47. Semi-Insulating CdTe with a minimized deep-level doping / R. Grill, J. Franc, I. Turkevych, P. Höschl, E. Belas, P. Moravec // Journal of Electronic Materials. – 2005. – V.34. – No6. – Р. 939-943.
48. Preparatin semi-insulating CdTe by post growth annealing / R. Grill, J. Franc, I. Turkevych, P. Höschl, E. Belas, P. Moravec // Proc. of SPIE. – 2002. – V. 4784. – P. 84–92.
49. Semi-insulating CdTe with a minimum deep level doping / R. Grill, J. Franc, I. Turkevych, P. Höschl, E. Belas, P. Moravec // Phys. Stat. Sol. (c). – 2005. – V.2. – No5. – Р. 1489-1494.
50. Semi-Insulating Te-Saturated CdTe / R. Grill, J. Franc, I. Turkevych, P. Höschl, E. Belas, P. Moravec // IEEE transactions on nuclear science. – 2005. – V.52. – No5. – P. 1925-1931.
51. Galvanomagnetic Properties of CdTe Below and Above the Melting Point / R. Grill, J. Franc, I. Turkevych, P. Höschl, E. Belas, P. Moravec // Journal of Electronic Materials. – 2001. – V.30. – No 6. – P. 595-602.
52. Косяк В.В. Ансамбль точкових дефектів у монокристалах CdTe у випадку повної рівноваги та закалювання / В.В. Косяк, А.С. Опанасюк // Фізика і хімія твердого тіла. – 2005. –Т.6. – No 3. – С. 461-470.
53. Kosyak V.V. Calculation of Fermi level location and point defects ensemble in CdTe single crystals and thin films / V.V. Kosyak, A.S. Opanasyuk // Semiconductor Phisics, Quantum Electronics & Optoelectronics. – 2007. – V.10. – No 3. – P. 95-102.
54.Kosyak V.V. Point defects ensemble in CdTe single crystals and films in the case of full equilibrium and quenching / V.V. Kosyak, A.S. Opanasyuk. I.Yu. Protsenko // Funkts. Mat. – 2005. – V.12. – No4. – P. 797-806.
55. Крегер Ф. Химия несовершенных кристаллов / Ф. Крегер. – М.: Мир, 1969. – 656 с.
56. Fochuk P. The nature of point defects in CdTe / P. Fochuk, R. Grill, O. Panchuk // J. Electron. Mater. – 2006. –V.35. – No6. – P.1354-1359.
57. Опис процесів дефектоутворення у бездомішкових кристалах кадмій телуриду методом термодинамічних потенціалів / В.В. Прокопів, П.М. Фочук, І.В. Горічок, Є.В. Вержак // Фізика і хімія твердого тіла. – 2007. – Т.8. – No 2. – С. 380-387.
58. Вплив відхилення від стехіометрії на дефектну підсистему кристалів CdTe:Cd / Д.М. Фреїк, В.В. Прокопів, І.В. Горічок, У.М. Писклинець // Фізика і хімія твердого тіла. – 2008. – Т. 9. – No 2. – С. 270-273.
59. Mandel G. Self-Compensation-Limited Conductivity in Binary Semiconductors. I. Theory. / G. Mandel // Phys. Rev. – 1964. – V. 134. – No 4A. – P. A1073-A1079.
60. Mandel G. Self-Compensation-Limited Conductivity in Binary Semiconductors. III. Expected Correlation With Fundamental Parameters / G. Mandel // Phys. Rev. – 1964. – V. 136, No3A. – P. A826–A823.
61. Сакалас А. Точечные дефекты в полупроводниковых соединениях / А. Сакалас, З. Янушкявичюс. – Мокслас: Вильнюс, 1988. – 153 с.
62. Defect engineering in CdTe, based on the tjtal energies of elementary defects / V. Babentsov, V. Corregidor, K. Benz, M. Fiederle, T. Feltgen E. Dieguez // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. – 2001. –V. A458. – P. 85-89.
63. Su-Huai Wei. Chemical trends of defect formation and doping limit in II- VI semiconductors: The case of CdTe / Su-Huai Wei, S.B. Zhang // Phys. Rev. – 2002. – V. B66. – P. 1552111–15521110.
64. Su-Huai Wei. First-Principles Study of Doping Limits of CdTe / Su-Huai Wei, S.B. Zhang // Phys. stat. sol. – 2002. – V. B229. – No 1. – P. 305-310.
65. Berding M.A. Electronic quasichemical formalism: Application to arsenic deactivation in silicon / M.A. Berding, A. Sher // Phys. Rev. – 1998. – V. B58. – No7. – P. 3853-3864.
66. Berding M.A. First-principles calculation of native defect in Hg0.8Cd 0.2Te / M.A. Berding, M. Schilfgaarde, A. Sher // Phys. Rev. – 1994. – V. B50. – No 3. – P. 1519-1534.
67. Berding M. A. Annealing conditions for intrinsic CdTe / M.A. Berding // Applied Physics Letters. – 1999. – V. 74, No. 4. – P. 552–554.
68. Berding M.A. Lithium, Sodium, and Copper in Hg0.78Cd0.22Te and CdTe-Based Substrates / M.A. Berding, A. Sher, M. Schilfgaarde // Journal of Electronic Materials. – 1998. – V. 27. – No 6. – P. 573-578.
69. Berding M.A. Defect Modeling Studies in HgCdTe and CdTe / M.A. Berding, A. Sher, M. Schilfgaarde // Journal of Electronic Materials. – 1995. –V. 24. – No 9. – P. 1127-1135.
70. Berding M.A. Vacancy formation energie in II-VI semiconductors / M.A. Berding, A. Sher // J. Vac. Sci. Technol. – 1987. –V. A5. – P.3009-3013.
71. Defects in ZnTe, CdTe and HgTe: total energie calculation / M.A. Berding, M. Schilfgaarde, A.T. Paxon, A. Sher / J. Vac. Sci. Technol. – 1990. –V. A8. – P.1103-1107.
72. Прокопів В.В. Ентальпія утворення моновакансій у сполуках AIIBVI / В.В. Прокопів, І.В. Горічок // Фізика і хімія твердого тіла. – 2006. – Т.7. – No4. – С. 717-719.
73. Ганина Н.В. Квантово-химический метод определения энтальпии образования моновакансий в полупроводниках / Н.В. Ганина, В.А. Шмугуров, В.И. Фистуль // Фізика і хімія твердого тіла. – 2004. –Т. 5. – No 3. –С. 430-435.
74. Ганина Н.В. Квантово-химическое определения энтальпии образования моновакансий в полупроводниковых соединений AIIIBV / Н.В. Ганина, В.А. Шмугуров, В.И. Фистуль // Фізика і хімія твердого тіла. – 2004. – Т. 6, No 1. С. 94–95.
75. Ганина Н.В. Энтальпия образования антиструктурного дефекта в соединениях AIIIBV / Н.В. Ганина, В.А. Шмугуров, В.И. Фистуль // Фізика і хімія твердого тіла. – 2006. – Т. 7, No 2. – С. 271–273.
76. Vacancies in CdTe: experiment and theory / S. Lany, V. Ostheimer, H. Wolf, Th. Wichert / Physica B. – 2001. – V. 308-310. – P. 958-962.
77. Lany S. Density functional theory calculations establish the experimental evidence of the DX center atomic structure in CdTe / S. Lany, H. Wolf,Th. Wichert // Phys. Rev. letters. – 2004. – V.92. – No22. – P. 2255041– 2255044.
78. Kobayashi A. Chemical trends for defect energy levels in HgCdTe / A. Kobayashi, O.F. Sankey, J.D. Dow // Phys. Rev. B. – 1982. – V.25. – No10. – P. 6367-6379.
79. Photoluminescence study of II–VI semiconductors by using radioactive 71 As dopants / S. Lany, J. Hamann, V. Ostheimer, H. Wolf, Th. Wichert // Physica B. – 2001. – V.302–303. – P. 114-122.
80. Kobayashi A. Deep energie levels of defects in thr wurtzite semiconductors AlN, CdS, CdSe, ZnS and ZnO / A. Kobayashi, O.F. Sankey, J.D. Dow // Phys. Rev. B. – 1983. – V.28. – No2. – P. 946-956.
81. Іванов В.С. Дифференциальная спектроскопия локальных центров в CdTe / В.С. Іванов, В.Б. Стопачинський, В.А. Чапнін // ФТП. – 1971. – Т.5. – No1. – С. 101-105.
82. Георгобиани А.Н. Физика соединений АIIBVI / А.Н. Георгобиани, М.К. Шейкман. – М.: Наука, 1986.
83. Исследование глубоких электронных состояний в текстурированных поликристаллах p-CdTe стехиометрического состава методом DLTS / Е.А. Боброва, Ю.В. Клевков, С.А. Медведєв, А.Ф. Плотников // ФТП. – 2002. – Т. 36. – No 12. – С. 1426-1431.
84. Meyer B.K. F center in CdTe / В.К. Meyer // Phys. Rev. B. – 1992. – V. 46. – Р. 15135-15138.
85. Meyer B.K. Native defect identification in II-VI materials / В.К. Meyer, W. Stadler // Journal of Crystal Growth. – 1996. – V.161. – Р. 119-127.
86. Optical investigation of defects in CdZnTe / W. Stadler, D.M. Hofmann, H.C. Alt, T. Muschik, B.K. Meyer // Phys. Rev. B. – 1995. – V. 51. – No 16. – P. 10619-10630.
87. Compensation of CdTe by Doping With Gallium / V. Babentsov, V. Corregidor, J.L. Castaño, M. Fiederle, T. Feltgen // Cryst. Res. Technol. – 2001. – V.36. – No6. – Р. 535-542.
88.Modified compensation model of CdTe / M. Fiederle, C. Eiche, M. Schwarz, K.W. Benz // J. Appl. Phys. – 1998. – V.84. – No12. – Р. 6689-6692.
89. Tellurium antisites in CdZnTe / M. Chu, S. Terterian, D. Ting, C. Wang, H. Gurgenian, S. Mesropian // J. Appl. Phys. – 2001. – V.79. – No17. – Р. 2728-2780.
90. Максимовский С.Н. О доминирующих точечных дефектах в CdTe / С.Н. Максимовский, С.П. Коблева // Неорганические материалы. – 1986. – V.22. – No6. – С. 922-925.
91. Defect engineering in CdTe, based on the tjtal energies of elementary defects / V. Babentsov, V. Corregidor, K. Benz, M. Fiederle, T. Feltgen, E. Dieguez // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, A. – 2001. – V.458. – Р. 85-89.
92. Особенности краевой фотолюминесценции кристаллов CdTe-Cl / Н.В. Агринская, О.А. Матвеев, А.В. Никитин, В.А. Сладкова // ФТП. – 1987. – Т.21. – No 4. – С. 676-679.
93. Равновесные характеристики и низкотемпературная фотолюминесценция монокристаллов CdTe-Pb / А.В. Савицкий, О.А. Парфенюк, М.И. Илащук, А.Й. Савчук // ФТП. – 2004. – Т.38. – No 5. – С. 516-521.
94. Фізичні властивості напівізолюючих монокристалів CdTe-Cl, вирощених з газової фази / В.Д. Попович, Г.М. Григорович, Р.М. Пелещак, П.М. Ткачук // Журнал фізичних досліджень. – 2002. – Т.6. – No1. – С. 86-90.
95. Электрофизические свойства и низкотемпературная фотолюминесценция монокристал лов CdTe, легированных Si / О.А. Парфенюк, М.И. Илащук, К.С. Уляницкий, П.М. Фочук та ін.// ФТП. – 2006. – Т.40. – No2. – С. 148-152.
96. Electrical compensation in CdTe and Cd0.9Zn0.1Te by intrinsic defects / N. Krsmanovic, K.G. Lynn, M.H. Weber, R. Tjossem // Phiysical rewiev B. – 2000. – V. 62, No 24. –Р. 279-282.
97. Scholz K. Investigations on the effect of contacts on p-type CdTe DLTS- measurements / K. Scholz, H. Stiens, G. Muller-Vogt // Journal of Crystal Growth. – 1999. – V.197. – Р. 586.
98. Matfaing Y. Self-compensation in II-VI compounds / Y. Matfaing // Prog. Crystals Growth Charact. – 1981. – V.4. – Р. 317-343.
99. Mathew X. Photo-induced current transient spectroscopic study of the traps in CdTe / X. Mathew // Solar Energy Materials & Solar Cells. – 2003. – V.76. – Р. 225242.
100. Горічок І.В. Антиструктурні дефекти у кристалах CdTe:Te / І.В. Горічок // Фізика і хімія твердого тіла. – 2009. – Т.10. – No1. – С. 129-133.

##submission.downloads##

Опубліковано

2019-03-08

Як цитувати

Фреїк, Д. М., & Горічок, І. В. (2019). ТЕРМОДИНАМІКА ТОЧКОВИХ ДЕФЕКТІВ ТА ЇХ ВПЛИВ НА ФІЗИКО-ХІМІЧНІ ВЛАСТИВОСТІ КРИСТАЛІВ КАДМІЙ ТЕЛУРИДУ (ОГЛЯД). PRECARPATHIAN BULLETIN OF THE SHEVCHENKO SCIENTIFIC SOCIETY Number, (1(5), 104-127. вилучено із https://pvntsh.nung.edu.ua/index.php/number/article/view/317

Номер

Розділ

Фізика і хімія твердого тіла

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають