CRYSTAL CHEMISTRY OF DEFECT SUBSYSTEM OF NON- STOICHIOMETRIC LEAD TELLURIDE
Keywords:
lead telluride, crystal-quasiсhemistry, quasichemistry, point defects, equilibrium constants, two-temperature annealing, the thermody- namic potential.Abstract
Quasiсhemical and crystal-quasiсhemical formulae of defect subsystem in nonstoichiometric PbTe crystals are offered. Values of equilibrium constants of quasichemical reactions of intrinsic point defects formation in lead telluride are revised. Using the method based on minimizing of the thermo dynamic potential of "crystal-pair" system as a function of defect concentration, equilibrium concentration of point defects and free charge carriers, depending on technological factors two-temperature annealing are calculated.
References
1. Абрикосов Н.Х. Полупроводниковые материалы на основе соединений AIVBVI / Н.Х.Абрикосов, Л.Е.Шелимова. – М.: Наука, 1975. – 195 c.
2. KITTEL C. Introduction to Solid State Physics, 7rd edition / Charles Kittel. – Wiley, 1996. – 689 p.
3. Dariel M.P. Carrier concentration gradient generated in p-type PbTe crystals by unidirectional solidification / M.P. Dariel, Z. Dashevsky, A. Jarashnely, S. Shusterman, A. Horowitz // Journal of Crystal Growth. – 2002. –V. 234. – Р. 164–170.
4. Фреїк Д.М. Кристалохімія і термодинаміка атомних дефектів у сполуках / Д.М. Фреїк , В.В. Прокопів, М.О. Галущак, М.В. Пиц, Г.Д. Матеїк. – Івано-Франківськ.: Плай, 1999. – 164 с.
5. Лисняк С. С. Кристаллохимическая модель исследований в химии твердого тела / С. С. Лисняк // Неорганические материалы. – 1992. – Т. 29, No 9. – С. 1913-1917.
6. Зломанов В.П. Р-Т-х-диаграммы состояния системы металлхалькоген / В.П. Зломанов, А.В. Новоселова. – М.: Наука, 1987. –207 с.
7. Семенченко В.К. Избранные главы теоретической физики /В.К. Семенченко. – М.: Просвещение, 1966, – 396 c.
8. Румер Ю.Б. Термодинамика, статистическая физики и кинетика / Ю.Б. Румер, М.Ш. Рывкин – М.: Наука, 1972. – 400 с.
9. Дубровская И.Н. Исследование непараболичности зоны проводимости PbTe методом измерения термоэдс в сильном магнитном поле / И.Н. Дубровская, Ю.И. Равич // ФТТ. – 1966. –Т.8, No 5. –С. 1455-1460.
10. Панкратов О.А. Многоэлектронные эффекты и зарядовые состояния вакансий в полупроводниках АIVBVI / О.А. Панкратов, П.П. Поваров // ФТТ. – 1988. – Т.30, No3. – С. 880-882.
11. Parada N.J. New Model for Vacancy States in PbTe / N.J. Parada, G.W. Pratt // Phys. Rev. Lett. – 1969. – V. 22, No 5. – P. 180-182.
12. Черник И.А. Прямое наблюдение резонансных состояний, связанных с вакансионнными дефектами в халькогенной подрешетке PbTe / И.А. Черник, А.В. Березин, С.Н. Лыков, Е.П. Сабо, Ю.Д. Титаренко // Письма в ЖЭТФ. –1988. – Т. 48, В. 10. – С. 550-553.
13. Прокопів В.В. Енергії утворення моновакансій у кристалах А3В5 та А4В6 / В.В. Прокопів, І.В. Горічок, Л.Д. Юрчишин // Фізика і хімія твердого тіла. – 2010. – Т. 11, No 4. – С. 849-852.
14. Khang Н. Theoretical study of deep-defect states in bulk PbTe and in thin films / Н. Khang, S.D. Mahanti, J. Puru // Phys. Rev. – 2007. – V 76. – Р. 115432-1–115432-18.
15. Крегер Ф. Химия несовершенных кристаллов / Ф. Крегер. – М.:Мир, 1972. – 640 с.
16. Чеснокова Д.Б. Моделирование процессов дефектообразования и свойства халькогенидов свинца / Д.Б. Чеснокова, М.И. Камчатка // НМ. – 2001. – Т. 37, No 2. –С. 157-164.
17. Грузинов Б.Ф. Положение уровня Ферми в сплавах PbTe, легированных примесью In, в области высоких температур / Б.Ф. Грузинов, И.А. Драбкин, Г.Ф. Захарюгина, А.В. Матвеенко, И.В. Нельсон // ФТП. –1979. – Т. 13. No 2. –С. 330-334.
18. Виноградова М.И. Параметры сложной валентной зоны и особенности проводимости в р-PbTe / М.И. Виноградова, В.И. Тамарченко, Л.В. Прокофьева // ФТП. – 1975. – Т. 9, No 3. – С. 483-487.
19. Волков Б.А. Зонная структура полупроводников группы А4В6 в приближении сильной связи на р-орбиталях / Б.А. Волков, О.А. Панкратов, А.В. Сазонов // ФТП. – 1982. – Т. 16, No 10. – С. 1734- 1742.
20. Заячук Д.М. К вопросу о доминирующих механизмах рассеяния носителей заряда в теллуриде свинца / Д.М. Заячук // ФТП. – 1997. – Т. 31. No 2. – С. 1692-1713.
2. KITTEL C. Introduction to Solid State Physics, 7rd edition / Charles Kittel. – Wiley, 1996. – 689 p.
3. Dariel M.P. Carrier concentration gradient generated in p-type PbTe crystals by unidirectional solidification / M.P. Dariel, Z. Dashevsky, A. Jarashnely, S. Shusterman, A. Horowitz // Journal of Crystal Growth. – 2002. –V. 234. – Р. 164–170.
4. Фреїк Д.М. Кристалохімія і термодинаміка атомних дефектів у сполуках / Д.М. Фреїк , В.В. Прокопів, М.О. Галущак, М.В. Пиц, Г.Д. Матеїк. – Івано-Франківськ.: Плай, 1999. – 164 с.
5. Лисняк С. С. Кристаллохимическая модель исследований в химии твердого тела / С. С. Лисняк // Неорганические материалы. – 1992. – Т. 29, No 9. – С. 1913-1917.
6. Зломанов В.П. Р-Т-х-диаграммы состояния системы металлхалькоген / В.П. Зломанов, А.В. Новоселова. – М.: Наука, 1987. –207 с.
7. Семенченко В.К. Избранные главы теоретической физики /В.К. Семенченко. – М.: Просвещение, 1966, – 396 c.
8. Румер Ю.Б. Термодинамика, статистическая физики и кинетика / Ю.Б. Румер, М.Ш. Рывкин – М.: Наука, 1972. – 400 с.
9. Дубровская И.Н. Исследование непараболичности зоны проводимости PbTe методом измерения термоэдс в сильном магнитном поле / И.Н. Дубровская, Ю.И. Равич // ФТТ. – 1966. –Т.8, No 5. –С. 1455-1460.
10. Панкратов О.А. Многоэлектронные эффекты и зарядовые состояния вакансий в полупроводниках АIVBVI / О.А. Панкратов, П.П. Поваров // ФТТ. – 1988. – Т.30, No3. – С. 880-882.
11. Parada N.J. New Model for Vacancy States in PbTe / N.J. Parada, G.W. Pratt // Phys. Rev. Lett. – 1969. – V. 22, No 5. – P. 180-182.
12. Черник И.А. Прямое наблюдение резонансных состояний, связанных с вакансионнными дефектами в халькогенной подрешетке PbTe / И.А. Черник, А.В. Березин, С.Н. Лыков, Е.П. Сабо, Ю.Д. Титаренко // Письма в ЖЭТФ. –1988. – Т. 48, В. 10. – С. 550-553.
13. Прокопів В.В. Енергії утворення моновакансій у кристалах А3В5 та А4В6 / В.В. Прокопів, І.В. Горічок, Л.Д. Юрчишин // Фізика і хімія твердого тіла. – 2010. – Т. 11, No 4. – С. 849-852.
14. Khang Н. Theoretical study of deep-defect states in bulk PbTe and in thin films / Н. Khang, S.D. Mahanti, J. Puru // Phys. Rev. – 2007. – V 76. – Р. 115432-1–115432-18.
15. Крегер Ф. Химия несовершенных кристаллов / Ф. Крегер. – М.:Мир, 1972. – 640 с.
16. Чеснокова Д.Б. Моделирование процессов дефектообразования и свойства халькогенидов свинца / Д.Б. Чеснокова, М.И. Камчатка // НМ. – 2001. – Т. 37, No 2. –С. 157-164.
17. Грузинов Б.Ф. Положение уровня Ферми в сплавах PbTe, легированных примесью In, в области высоких температур / Б.Ф. Грузинов, И.А. Драбкин, Г.Ф. Захарюгина, А.В. Матвеенко, И.В. Нельсон // ФТП. –1979. – Т. 13. No 2. –С. 330-334.
18. Виноградова М.И. Параметры сложной валентной зоны и особенности проводимости в р-PbTe / М.И. Виноградова, В.И. Тамарченко, Л.В. Прокофьева // ФТП. – 1975. – Т. 9, No 3. – С. 483-487.
19. Волков Б.А. Зонная структура полупроводников группы А4В6 в приближении сильной связи на р-орбиталях / Б.А. Волков, О.А. Панкратов, А.В. Сазонов // ФТП. – 1982. – Т. 16, No 10. – С. 1734- 1742.
20. Заячук Д.М. К вопросу о доминирующих механизмах рассеяния носителей заряда в теллуриде свинца / Д.М. Заячук // ФТП. – 1997. – Т. 31. No 2. – С. 1692-1713.
Downloads
Published
2019-03-07
How to Cite
Туровська, Л. В. (2019). CRYSTAL CHEMISTRY OF DEFECT SUBSYSTEM OF NON- STOICHIOMETRIC LEAD TELLURIDE. PRECARPATHIAN BULLETIN OF THE SHEVCHENKO SCIENTIFIC SOCIETY. Number, (1(13), 211–229. Retrieved from https://pvntsh.nung.edu.ua/index.php/number/article/view/269
