THE SELF POINT DEFECTS AND PHYSIC-CHEMICAL PROPER- TIES OF ZINK TELLURIDE
Keywords:
zinc tellyride, point defects, ionisation energy.Abstract
An overview of the basic physical and chemical properties of zinc telluride is made. It is the Investigation of the equilibrium phase diagram of the material. It is transmitted power structure of their own semiconductor defects. It is the calculation of the concentration of point defects in unstoichiometrical and self doped ZnTe.
References
Багаев В.С. Распространение неравновесных акустических фононов в высокочистом крупнозернистом ZnTe / В.С.Багаев, Т.И.Галкина, А.И.Шарков, А.Ю.Клоков, В.П.Мартовицкий, В.В.Зайцев, Ю.В.Клевков // Физика твердого тела. – 2003. – Т.45. No11. – С. 1941-1945.
Клевков Ю.В. Морфология, двойникование и фотолюминесценция кристаллов ZnTe, выращенных методом химического синтеза компонентов из паровой фазы / Ю.В.Клевков, В.П.Мартовицкий, В.С.Багаев, В.С.Кривобок // Физика и техника полупроводников. – 2006. – Т.40. No2. – С. 153-159.
Галкина Т.И. Распространение неравновесных фононов в монокристаллическом ZnTe / Т.И.Галкина, А.Ю.Клоков, А.И.Шарков¶,
Ю.В.Коростелин, В.В.Зайцев // Физика и техника полупроводников. – 2003. – Т.37. No5. – С. 539-542.
Данильченко С.М. Структура та електрофізичні властивості тонких плівок з’єднань ZnTe і ZnS / С.М.Данильченко, Т.Г.Калініченко, М.М.Колесник, Д.І.Курбатов, А.С.Опанасюк // Фізика і хімія твердого тіла. – 2008. – Т.9. No2. – С. 343-349.
Багаев В.С. Влияние отжига в парах и в жидком Zn на фотолюминесценцию высокочистых поликристаллов ZnTe / В.С.Багаев, В.В.Зайцев, Ю.В.Клевков, В.С.Кривобок, Е.Е.Онищенко // Физика и техника полупроводников. – 2003. – Т.37. No3. – С. 299-303.
Абрикосов, Н.Х. Полупроводниковые соединения, их получение и свойства / Н.Х.Абрикосов и др. – М.: Наука, 1970. – 205 с.
Sato K. Themeltingpointof ZnTe puregreen light-emitting diodes based on high quality ZnTe substratesand a thermaldiusionprocess / K.Sato, M.Hanafusa, A.Noda, A.Arakawa, T.Asahi, M.Uchida, O.Oda // Ieicetrans. electron. – 2000. – Т.E83-C. No4. – P. 579-584.
Soxman E. J.Hollow Crystals of Hexagonal ZnS // J.Appl. Phys. – 1963. – No4. – Р.948.
Аветисов И.Х., Геско Е.Н., Хариф Я.Л. // Тезисы докладов ІІІ Всесоюзной конференции “Материаловедение халькогенидных полупроводников”. – Черновцы, 1991. – С.54.
Smith J.A Нight emperature study of nativedefectsin ZnTe / J.Smith // J. Phys. Chem. Solids. PergamonPress. – 1971. – V.32. – P. 2201-2209.
Guskov V.N. P-T-X Phaseт Equilibriumin the Zn-Te System / V.N.Guskov, J.H.Greenberg, A.S.Alikhanyan, A.M.Natarovsky, T.Feltgen, M.Fiederle, and K.W. Benz // Phys. stat. sol. – 2002. – V.229.No1. – P. 137-140.
Shiozawa L.R. Research on Improved II-VI Compounds / L.R.Shiozawa, J.M. Jost, and G.A. Sullivan // FinalReport, Contract. – 1968. – V.33. – No 615. – P.2708.
Greenberg J.H. PeTeXp hase equilibrium and vapor pressures canning of non-stoichiometry in the Cd-Zn-Te system / J.H.Greenberg // Progress in Crystal Growthand Characterization of Materials. – 2003. – V.47. – P. 196-238.
A.S. Jordanand R.R. Zupp, J. Electrochem. – 1969. – V.116. – С. 1264.
HultgrenR. Selected Valuesof Thermodynamic Properties of Metalsand Alloys / R.Hultgren, R.L.Orr, P.D.Anderson, and K.K.Kelley // Wiley, NewYork. – 1963. – V.51. – P. 698.
Brooks L.S., Chem J. Am.. Soc. – 1952. – V.74. – С. 227
Yamanaka, T., Tokonami M.: ActaCrystallogr. B 41. – 1985. – V.41. – P. 298.
Christensen, N.E., Christensen O.B.: Phys. Rev. B. – 1986. – V.33. – P. 4739.
Hadni A., Claudel J., Strimer P.: Phys. Status Solidi. – 1968. – V.26. – P. 241.
Yeh C.Y., Lu Z.W., Froyen S., Zunger A.: Phys. Rev. B. – 1992. – V.46. – P. 86.
Nelmes, R. J., McMahon, M. I., Wright, N. G., Allan, D. R.: J. Phys. Chem. Solids. – 1995. – V.56.
Романенкова Л.В. Нестехиометрия теллурида цинка / Л.В.Романенкова, Н.В.Пальванова, А.Ю.Зиновьев, И.Х.Аветисов // Тези. Физико-химические процеси в конденсированном состоянии и на межфазных границах. – С.234-237.
Овсянников С.В. Термоэлектические свойства тригональной и орторомбической модификаций теллуридацинка / С.В.Овсянников, В.В.Щекников // Письма в ЖЭТФ. – 2004. – Т.80. – No1. – С.41-44.
