RETROGRADE MULTI-CHARGE DUAL IMPLANTATION OF GaAs EPIC LAYERS ON MONO-Si SUBSTRATES
DOI:
https://doi.org/10.31471/2304-7399-2019-1(53)-45-58Keywords:
multi-charge dual implantation, complex concentration profile of n - n type, steepness of Schottky transistors, speed of LIC.Abstract
The article presents the results of experimental studies using multi-charge dual implantation of ions of different masses (silicon, sulfur, selenium) for the formation of retrograde concentration profiles of n + n of Schottky transistors, which increase the speed of LIC by 2.5-3 times.
References
Новосядлий С.П. Суб- і наномікронна технологія структур ВІС. Монографія. – Івано-Франківськ.: Місто-НВ, 2010. – 456 с.
Новосядлий С.П., Терлецький А.І. Діагностика субмікронних структур ВІС. Монографія. – Івано-Франківськ.: Сімик, 2016. – 478 с.
Новосядлий С.П. Радіаційна технологія при формуванні субмікронних структур ВІС. Металофізика і новітні технології. – 2002. – №4. – С. 1003-1013.
Новосядлий С.П. Активація домішок в субмікронній технології формування структур великих інтегральних схем. Металофізика і новітні технології. – 2002. – N6, Т24. – С. 777-794.
Новосядлий С.П. Полімідні композиції в субмікронній технології формування структур великих інтегральних схем. Металофізика і новітні технології. – 2005. т. 27, №5. – С. 635-642.
Новосядлий С.П., Бережанський В.М. Мезоепіпланарна технологія як основа реалізації субмікронних суміщених Bi-K-D-МОН-структур ВІС. Східноєвропейський журнал передових технологій. – 2007. – Т 25, №1.– С. 40-45.
Новосядлий С.П., Бережанський В.М. Багатозарядна іонно-імплантаційна обробка при формуванні кишені і металізації субмікронних структур ВІС. Східноєвропейський журнал передових техно-логій. – 2007. – Т 29, №7. – С. 857-866.
Новосядлий С.П., Варварук В.М. Технологічні особливості епітаксійного формування шаруватих наноструктур. Східноєвропейський журнал передових технологій. – 2008. – №4.– С. 32-36.
Новосядлий С.П., Варварук В.М. Формування МОН – транзисторів ВІС з ізоляцією активних елементів окисленням пористого кремнію. ТКЕА. – 2009. – №3 (8). – С. 35-39.
Бондарева Т.К., Манухина Ф.Ф. Технологія іонної імплантації арсеніду галію // Електротехніка. – 1990. –№5 (162). – С. 32-36.
Новосядлий С.П., Варварук В.М., Сорохтей Т.Р. Особливості формування SOI – структур для субмікронних ВІС З використанням багатозарядної іонної імплантації. Східноєвропейський журнал провідних технологій. – 2011. – №4(3). – С. 30-43.
Новосядлий С.П. Сорохтей Т.Р. Польові транзистори з бар'єром Шотткі на основі напівізолюючих підкладок GaAs, імплантованих ретроградно- багатозарядними іонами селена. Металофізика і новітні технології. – 204. – №2 (4). – С. 17-19.
Новосядлий С.П., Мельник Л.В. Фізико-технологічні аспекти багатозарядної імплантації арсенід галію в структурах приладів і схем. Східноєвропейський журнал передових технологій. – 2013. – №5 (65). – С. 29-36.
Новосядлий С.П., Кіндрат Т.П. Варізонні напівпровідники та їхнє застосування. Східноєвропейський журнал передових технологій (спец випуск). «Технологічний аудит і резерви виробництва. Матеріа-ли науково-практичної конференції «Наукового результату». – 2013. – №6/5(16). – С. 24-27.
Новосядлий С.П., Мельник Л.В. Особливості технології кремній та арсенід галію на ізоляторі. Східноєвропейський журнал передових те-хнологій. – 2014. – №6/5(72). – С. 34-39.
Новосядлий С.П., Марчук С.М., Варварук В.М., Мельник Л.В. Мо-делі напівізолюючих шарів арсеніду галію при їх формуванні багатозарядною іонною імплантацією. Фізика і хімія твердого тіла. – 2014. – Т. 15, №4. – С. 872-878.
Новосядлий С.П., Босацький А.М. Варізонна технологія формування структур швидкодіючих GaAs – транзисторів як основа сучасних ВІС. Фізика і хімія твердого тіла. – 2014. – Т. 16, №1. – С. 221-229.
Новосядлий С.П., Терлецький А.І., Фрик О.Б. Формування КМОН схем на GaAs із самосуміщеними нітридними та силіцидними затворами. // Фізика і хімія твердого тіла. – 2015. – Т. 16, № 2. – С. 420-424.
Новосядлий С.П., Бойко С.І. Мельник Л.В., Новосядлий С.В. Розробка технології багатозарядної іонної імплантації GaAs для субмік-ронних структур великих інтегральних схем. // Східноєвропейський журнал провідних технологій. – 2015. – № 6(5). – С. 32-40.
Новосядлий С.П., Луцький І.М. Шляхи підвищення швидкодії GaAs-польових транзисторів Шотткі (ПТШ) та селективнолегованих гетеротранзисторів (СЛГТ) для формування сучасних НВЧ-схем. Фі-зика і хімія твердого тіла. – 2015. – Т. 16, № 2. – С. 413-419.
S. Novosyadlyj, B. Dzundza, V. Gryga, Sv. Novosyadlyj, M. Kotyk, V. Mandzyuk. Research into constructive and technological features of epitaxial gallium-arsenide structures formation on silicon substrates // Eastern-European journal of enterprise technologies. – 2017. – N3/5 (87). – pp. 54 – 71.
Новосядлий С.П., Терлецький А.І., Фрик О.Б. Фізико-технологічні аспекти моделювання низькотемпературної епітаксії шаруватих структур кремнію та галію арсеніду // Прикарпатський вісник НТШ. Число. – 2018. – № 1(37). – С. 92-102.
