Новосядлий, Степан Петрович, Андрій Іванович Терлецький, and Оксана Богданівна Фрик. 2019. “PHYSICAL-TECHNOLOGICAL ASPECTS OF SIMULATION OF SILICON AND GALLIUM ARSENIDE LOW-TEMPERATURE EPITAXIAL LAYERED STRUCTURES”. PRECARPATHIAN BULLETIN OF THE SHEVCHENKO SCIENTIFIC SOCIETY. Number, no. 1(45) (February):63-79. https://pvntsh.nung.edu.ua/index.php/number/article/view/14.