Степан Петрович, Андрій Іванович, & Оксана Богданівна. (2019). PHYSICAL-TECHNOLOGICAL ASPECTS OF SIMULATION OF SILICON AND GALLIUM ARSENIDE LOW-TEMPERATURE EPITAXIAL LAYERED STRUCTURES: Array. PRECARPATHIAN BULLETIN OF THE SHEVCHENKO SCIENTIFIC SOCIETY Number, (1(45), 63–79. Retrieved from https://pvntsh.nung.edu.ua/index.php/number/article/view/14