МОДЕЛЮВАННЯ ГАЗОФАЗНИХ ФОТОСТИМУЛЬОВАНИХ ПРОЦЕСІВ СУБМІКРОННИХ СТРУКТУР ВІС/НВІС

  • Степан Петрович Новосядлий Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника
  • Володимир Михайлович Грига Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника
  • Ігор Іванишин Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника
  • Андрій Петрованчук Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника
  • Іван Жолоб Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника
Ключові слова: субмікронна технологія, осадження, травлення шарів, епітаксія, фотонна відпал-активація.

Анотація

Сучасна субмікронна тонкоплівкова технологія епітаксійних GaAs-шарів на монокремнієвих підкладках вимагає значного розвитку і удосконалення прецизійних низькотемпературних методів формування функціональних шарів за властивостями, які не поступаються шарам, сформованих високотемпературними методами. Сьогодні для підвищення швидкодії та завадозахищеності субмікронних суміщених кремнієвих та арсенідгалієвих структур ВІС/НВІС у світі йде інтенсивний пошук нових високоефективних технологічних операцій формування їх структур, які б зменшували температуру осадження функціональних шарів та підвищували температурну стабільність концентраційних профілів та зарядового стану. Розроблено субмікронну технологію формування структур ВІС/НВІС, в яку включено цілий комплекс досліджень унікальних процесів газофазних фотостимулюючих процесів: оксидування, травлення епітаксії, дифузії, імплантації, активації домішок, впаювання низькоомних захованих контактів. Особливо актуальними сьогодні є процеси субмікронної технології, які в процесі формування структур ВІС не змінюють концентраційних профілів гомо та гетеропереходів і є високостимулючими в зменшенні часу виконання технологічного маршруту за короткими мікроциклами при індивідуа-
льній обробці моно-Si-підкладок великого діаметра (>150 мм). В даній публікації розкрито сутність проведених досліджень у вказаних процесах субмікронної технології ВІС/НВІС, що підвищують їх як роздільну здатність, так і зарядову стабільність.

Посилання

1. Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками / Под ред. Дж.М. Поута и др. / Пер. с англ. Под ред. А.А. Углова. – М.: Машиностроение, 1987. – 424 с.
2. Индуцированные лазером химические процессы: Под ред. Дж. Стейнфилда. – М.: Мир, 1994. – 428 с.
3. Новосядлий С.П. Суб- і наномікронна технологія структур ВІС: монографія. – Івано-Франківськ: Місто НВ, 2010. – 455 с.
4. Новосядлий С.П. Високоефективні структури ФЕП: монографія. – Івано-Франківськ: Плай, 2015. – 354 с.
5. Новосядлий С.П., Терлецький А.І. Діагностика субмікронних структур ВІС: монографія. – Івано-Франківськ: Сімик, 2016. – 478 с.
6. Новосядлий С.П., Терлецький А.І., Фрик О.Б. Сучасні твердофазні технологічні процеси в субмікронній технології ВІС // Східно-
Європейський журнал передових технологій – 7/7 (45:2008).
7. Novosyadlyj, B. Dzundza, V. Gryga, Sv. Novosyadlyj, M. Kotyk, V. Mandzyuk. Research into constructive and technological features of epi-
taxial gallium-arsenide structures formation on silicon substrates // Eastern-European journal of enterprise technologies. – 2017.- N3/5 (87). – p.p. 54 – 71.
8. Валиев К. А. Микроэлектроника. Достижение и пути развития — М.: Наука, 1989. – 285 с.
9. Вершинський Ю.Ф., Гронський С.П., и др. Установка для лазерного генерирования дефектов полупроводниковых пластин // Электронная
промышленность. – 1990. – No5. – с. 5-7.
10. С.А. Атейчик, В.В. Бонша, В.Б. Гурський, Ю.П. Попов. Формирование субмикронных контактных окон методом лазерной вакуумной литографии // Электронная промышленность. – 1990. – No1. – с. 5-7.
11. Новосядлий С.П, Бойко С.І. Конрструктивно-аналітичний аналіз польових гетеротранзисторів високої швидкодії для субмікронних структур ВІС/НВІС. Збірник наукових праць “Вісник НТУ “ХПІ” серія Механіко-технологічні системи та комплекси”. – 2015. – No36(1145). – с. 5-7.
12. Новосядлий С.П., Терлецький А.І., Фрик О.Б. Формування КМОН схем на GaAs із самосуміщеними нітридними та силіцидними затворами // Фізика і хімія твердого тіла. – 2014. – Том 15, No4. – с. 420-424.
13. Патент на винахід No113891. Спосіб локальної ізоляції елементів пористим прооксидованим кремнієм в субмікронних структурах великих інтегральних схем // Новосядлий С.П., Варварук В.М., Мелник Л.В, Бойко С.І. Державний вищий навчальний заклад “Прикарпатсь-
кий національний університет ім. В.Стефаника”, опубл. 27.03.2017.
Опубліковано
2019-05-18
Як цитувати
Новосядлий, С. П., Грига, В. М., Іванишин, І., Петрованчук, А., & Жолоб, І. (2019). МОДЕЛЮВАННЯ ГАЗОФАЗНИХ ФОТОСТИМУЛЬОВАНИХ ПРОЦЕСІВ СУБМІКРОННИХ СТРУКТУР ВІС/НВІС. ПРИКАРПАТСЬКИЙ ВІСНИК НТШ Число, (2(46), 61-118. вилучено із http://pvntsh.nung.edu.ua/index.php/number/article/view/375
Розділ
Математика та механіка

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають