ЛОКАЛЬНІ КНІ-СТРУКТУРИ – ПЕРСПЕКТИВНИЙ МАТЕРІАЛ ДЛЯ ІНТЕГРОВАНИХ МІКРОСИСТЕМ-НА-КРИСТАЛІ

  • Ігор Тимофійович Когут Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника
Ключові слова: кремній-на-ізоляторі, мікросистема-на-кристалі, приладно-технологічне моделювання, тривимірні елементи.

Анотація

Розроблено оригінальний метод формування локальних тривимірних структур «кремній-на-ізоляторі» (КНІ), проведено приладно-технологічне моделювання. На прикладі розроблених окремих інтегральних елементів і моделювання їх характеристик показано, що запропоновані КНІ-структури можуть бути перспективним матеріалом для проектування елементної бази як зі стандартними, планарними конструкціями, так і з об’ємними, тривимірними архітектурами та побудови на цій основі мікросистем-на-кристалі(МСК).

Посилання

1. Климов Д.М., Васильев А.А., Лучинин В.В., Мальцев П.П. Перспективы развития микросистемной техники в XXI веке // Микросистемная техника. – 1999. – No 1. – С. 3-6.
2. В.Г. Вербицкий. Ионные нанотехнологии в электронике. Монография.– К.: МП Леся, 2002. – С.7-8.
3. Jean-Pierre Collinge, Silicon-on-Insulator Technology: materials to VLSI, 2nd Edition, by Kluwer Academic Publishers, 1997.
4. Physical and Technical Problems of SOI Structures and Devices. Ed. by J.-P. Collinge, V.S. Lysenko and A.N. Nazarov. 1995 Kluwer Academic Pudlishers, Printed in Netherlands. NATO ASI Series 3: High Technology. – 1995. – Vol.4. – P.41- 48.
5. A. Druzhynin, I. Kogut. Digital CMOS ARRAY based on SOI Structures // Electron Technology, Warshawa. – 1999. – Vol.32, No. 1-2. – P.142-145.
6. Патент України на корисну модель No 29701UA. Контакт в інтегральних пристроях зі структурами «кремній-на-ізоляторі»/ Когут І.Т., Дружинін А.О.,
Голота В.І. Опубл. 25.01.2008, бюл. No1.
7. Патент України на корисну модель No29698UA «Ключовий елемент на діодах Шотткі зі структурами «кремній-на-ізоляторі» /Когут І.Т., Голота В.І., Дружинін А.О., – Опубл. 25.01.2008, бюл. No1.
Опубліковано
2019-03-08
Розділ
Фізика і хімія твердого тіла