МЕХАНІЗМИ ДЕФЕКТОУТВОРЕННЯ У НАПІВПРОВІДНИКОВИХ ПЛІВКАХ ХАЛЬКОГЕНІДІВ СВИНЦЮ І ОЛОВА

  • Мар'ян Олексійович Галущак Івано-Франківський національний технічний університет нафти і газу
Ключові слова: тонкі плівки, халькогеніди свинцю, атомні дефекти, комплексоутворення.

Анотація

Розглядається вплив внутрішніх механічних напружень, а також залишкового кисню на процеси дефектоутворення у плівках халькогенідів свинцю, осаджених на різні підкладки. З’ясовано механізм утворення металічної фази при вирощуванні плівок з парової фази. Розглянуто кінетику поверхневої концентрації електронів з урахуванням комплексоутворення власних дефектів з киснем.

Посилання

1. Равич Ю.И., Ефимова В.А., Смирнова В.А. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe, PbS. – M.: Наука, 1968. – 384 с.
2. Абрикосов Н.Х., Шелимова Л.Е. Полупроводниковые материалы на основе соединений АIV BVI. – М.: Наука, 1975. – 196 с.
3. Берченко Н.Н., Гейман К.И., Матвеенко А.В. Методы получения p-n переходов и баръеров Шоттки в халькогенидах свинца и твердых растворов на их основе // Зарубежная электронная техника. – 1977.– No14. – С. 3-70.
4. Сизов Р.Р. Твердые растворы халькогенидов свинца и олова и фотоприемники на их основе // Зарубежная электрон. Техника. –1977.– No2. – С. 31-38.
5. Шперун В.М., Фреїк Д.М., Запухляк Р.І. Термоелектрика телуриду свинцю та його аналогів. – Івано-Франківськ: Плай, 2000. – 250 с.
6. Zemel J.N. Recent developments in epitaxial IV-VI films // J.Luminescence, 7. – 1973. – Р. 524-541.
7. Lopez-Otero А., Haas L.D. High mobility of as-grown PbTe films prepared by the hot-wall technique // Thin Solid Films. – No23(1). – Р. 1-6.
8. Фреик Д.М. Получение пленок соединений АIVВVI // Приборы и техника эксперимента. – 1976. – No5. – С. 7-17.
9. Фреик Д.М. Получение пленок соединений с заданными параметрами методами квазизамкнутого объема // Изв. АН СССР. Неорган. Материалы. – 1982. – No8(8). – С. 1237-1248.
10. Фреик Д.М., Галущак М.А., Межиловская Л.И. Физика и технология полупроводниковых пленок. – Львов: Вища школа, 1988. – 152с.
11. Палатник Л.С., Сорокин В.К. Тонкие пленки полупроводниковых соединений // Изв. АН СССР. Неорган. Материалы. –1969. – No5(5).– С. 822-852.
12. Палатник Л.С., Фукс М.Я., Косевич В.М. Механизм образования и структура конденсированных пленок. – М.: Наука, 1972. – 320 с.
13. Палатник Л.С., Сорокин В.К. Основы плёночного полупроводникового материаловедения. Энергия. – М., 1973. – 295 с.
14. Семилетов С.А., ВоронинаИ.П. Получение, структура и свойства монокристаллических пленок PbTe // ДАН СССР. – 1963. – No152(6). – С. 1350-1355.
15. Holloway Н. Тhin Films IV-VI semiconductor photodiodes // Physics thin films. – New York, 1980. – 11. – Р. 105-203.
16. О механизме образования и зарядовых состояниях собственных атомных дефектов в пленках теллурида свинца / М.А.Рувинский, Д.М.Фреик, Б.М.Рувинский, В.В.Прокопив. // Письма в ЖТФ. – 2000. – No26(15). – С. 6-11.
17. Нові підходи в поясненні механізмів дефектоутворення у кристалах і плівках халькогенідів свинцю / Д.М.Фреїк, М.А.Рувінський, В.В.Прокопів, Б.М.Рувінський, О.В.Козич // Фізичний збірник НТШ. – Львів, 2001. – No4. – С. 135-141.
18. Влияние внутренних напряжений на дефектообразование в пленках теллурида свинца при парофазной эпитаксии / Д.М.Фреик, Б.М.Рувинский, М.А.Рувинский, М.А.Галущак, О.Я.Довгий // Журн. физ. химии. –2002. – No76(2). – С. 362-368.
19. Фреїк А.Д., Рувінський М.А. Атомні дефекти і фізико-хімічні процеси у тонких плівках селеніду свинцю при вирощуванні із парової фази // Фізика і хімія твердого тіла. – 2002. – No3(4). – С. 675-681.
20. Атомні дефекти у плівках сульфіду свинцю при паро фазній епітаксії / Д.М.Фреїк, Б.М.Рувінський, М.А.Рувінський, М.О.Галущак, І.В.Калитчук // Фізика і хімія твердого тіла. – 2003. –No4(1). – С. 43-47.
21. Влияние этапов испарения навески на свойства плёнок соединений AIVBVI / Д.М.Фреик, Я.В.Солоничний, Н.Т.Масляк, М.А.Галущак // Физика и химия обработки материалов. – 1979. – No7. – С. 159- 161.
22. Дефектна підсистема плівок PbSe при парофазній епітаксії з участю кисню / Д.М.Фреїк, Б.М.Рувінський, О.Я.Довгий, М.О.Галущак // Український фізичний журнал. – 2002. – No47(8). – С. 760-772.
23. Thermoelectric properties of solid solutions based on tin telluride / D.M.Freik, M.O.Galushchak, I.M.Ivanyshyn, V.M.Shperun, R.I.Zapukhlyak, M.V.Pyts // Semiconductor Physics. Quantum Electronics. Optoelectronics. – 2000. – No3(3). – Р. 287-290.
24. Thermoelectric properties and defective subsystem in doped telluride of tin / M.O.Galushchak, D.M.Freik, I.M.Ivanyshyn, A.V.Lisak, M.V.Pyts // Journal of Thermoelectricity. – 2000. – No1. – Р. 42-50.
25. Особливості реалізації складної дефектної підсистеми у монохалькогенідах свинцю / Д.М.Фреїк, М.О.Галущак, Л.Р.Павлюк, О.В.Козич, Г.Д.Матеїк // Фізика і хімія твердого тіла. – 2000. –No1(2). – С. 307-317.
26. Кристалохімія власних атомних дефектів і термодинамічний n-p-перехід у кристалах PbSe / Д.М.Фреїк, В.В.Прокопів, М.О.Галущак,
Л.Р.Павлюк, О.В.Козич // Фізика і хімія твердого тіла. – 2000. –No1(1). – С. 83-87.
27. Кристалоквазіхімія дефектів у халькогенідах свинцю / С.С.Лісняк,Д.М.Фреїк, М.О.Галущак, В.В.Прокопів, І.М.Іванишин В.В.Борик //Фізика і хімія твердого тіла. – 2000. – No1(1). – С. 131-134.
28. Фреик Д.М., Иванишин И.М, Галущак М.А. Термоэлектрические свойства и кристаллоквазихимия дефектной подсистемы в сплавах на основе теллуридов олова // Термоелектрика. – 2001. – No2. – С. 61-67.
29. Процеси окислення плівок телуриду олова в атмосфері кисню / М.О.Галущак, Л.Й.Межиловська, М.В.Пиц, В.В.Борик, Г.Д.Матеїк// Фізика і хімія твердого тіла. – 2001. – No2(2). – С. 213-215.
30. Кристалохімія дефектів у легованих талієм плівках PbS / М.О.Галущак, Л.Р.Павлюк, А.Д.Фреїк, В.В.Нижникевич, Г.Д.Матеїк // Фізика і хімія твердого тіла. – 2001. – No2(4). – С. 631-639.
31. Дефектна підсистема селеніду свинцю, легованого талієм / М.О.Галущак, А.Д.Фреїк, Л.Р.Павлюк, В.В.Прокопів, В.М.Бойчук // Фізика і хімія твердого тіла. – 2001. – No2(3). – С. 421-424.
32. Дефектна підсистема плівок PbSe при парофазній епітаксії з участю кисню / Д.М.Фреїк, Б.М.Рувінський, О.Я.Довгий, М.О.Галущак / Український фізичний журнал. – 2002. – No47(8). – С. 760-772.
33. Ефективні і локальні значення електричних параметрів у полікристалічних плівках телуриду свинцю / Д.М.Фреїк, Я.П.Салій, О.Я.Довгий, М.О.Галущак, І.В.Калитчук // Фізика і хімія твердого тіла. – 2002. – No2(4). – С. 711-718.
34. Freik D.M., Ruvinskii М.А., Galushchak М.О. Crystallochemistry of defects in lead telluride Films // Semiconductor Physics. Quantum Electronics and Optoelectronics. – 2002. – No4(1). – Р. 5-8.
35. Утворення металічної фази при синтезі плівок халькогенідів свинцю квазірівноважними методами / Б.М.Рувінський, Д.М.Фреїк, М.А.Рувінський, М.О.Галущак // Фізика і хімія твердого тіла. – 2001. – No2(1). – С. 153-159.
36. Вплив випаровування у вакуумі на при поверхневий шар плівок халькогенідів свинцю / Б.М.Рувінський, Д.М.Фреїк, М.А.Рувінський, М.О.Галущак // Фізика і хімія твердого тіла. – 2002. – No2(2). – С. 241-246.
37. Квазіхімія дефектів у телуриді свинцю, легованих талієм / М.О.Галущак, Л.Р.Павлюк, В.М.Бойчук, Г.Д.Матеїк, А.М.Яцура // Фізика і хімія твердого тіла. – 2002. – No3(1). – С. 131-139.
38. Фреїк Д.М., Павлюк Л.Р., Галущак М.О. Атомні дефекти і явище самокомпенсації у кристалічному PbTe:In // Фізика і хімія твердого тіла. – 2002. – No3(3). – С. 429-437.
39. Атомні дефекти і електричні властивості епітаксійних плівок PbTe:In / Д.М.Фреїк, Л.Р.Павлюк, М.О.Галущак, В.М.Бойчук, А.М.Яцура // Фізика і хімія твердого тіла. – 2002. – No3(2). – С. 31-40.
40. Вакуумний відпал і напрямлені неоднорідності електричних параметрів плівок n- і р-PbTe / Д.М.Фреїк, О.Я.Довгий, М.О.Галущак, І.В.Калинчук, Ю.В.Кланічка // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. – 2002. – No37. – С. 99-105.
41. Кристалохімія і термодинаміка дефектів у сполуках AIVBVI / Д.М.Фреїк, В.В.Прокопів, М.О.Галущак, М.В.Пиц, Г.Д.Матеїк. – Івано-Франківськ: Плай, 1999. – 164 с.
42. Фреїк А.Д. Атомні дефекти і фізико-хімічні процеси у тонких плівках халькогенідів свинцю (огляд) // Фізика і хімія твердого тіла. – 202. – No4(2). – С. 191-212.
43. Плёночные термоэлементы: Физика и применение / Под. ред. Лидоренка Н.С. – М.: Наука, 1985. – 232 с.
44. Земел Дж.Н.; Под ред. Грина М. Эпитаксиальные пленки халькогенидов свинца и родственных соединений / В сб.: Поверхностные свойства твердых тел. – М.: Мир, 1972. – 432 с. (С. 317-428).
45. Механические напряжения в гетероэпитаксиальных пленках А4В6 / Ю.В.Кочетков, В.М.Никифоров, О.Н.Васильева, А.М.Гаськов // Вестник Моск. ун-та Сер.3. Физика. Астрономия. – 1994. – No35(2).– С. 68-74.
46. Френзель Я.И. Введение в теорию металлов. – М.: ГИФМЛ, 1958. – 368 с.
47. Лейбфрид Г. Микроскопическая теория механических и тепловых свойств кристаллов. – М.-Л.: ГИФМЛ, 1963. – 312 с..
48. Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников. – М.: Наука, 1968. – 419 с.
49. Ашкрофт Н., Мерин Н. Физика твердого тела. – М.: Мир, 1979. – Т.2. – 424 с.
50. Борн М., Кунь Х. Динамическая теория кристаллических решеток. – М.: ИЛ, 1958. – 488 с.
51. Акустические кристаллы / Блистанов А.А., Бондаренко В.С., Переломова Н.В. и др.; Под ред. М.П.Шаскольской. – М.: Наука, 1982. – 632 с.
52. Физическая энциклопедия / Гл. ред. А.М.Прохоров. – М.: Советская энциклопедия, 1990. – Т.2. – 704 с.
53. Таблицы физических величин. Справочник / Под ред. И.К.Кикоина.– М.: Атомиздат, 1976. – 1007 с.
54. Стоунхэм А.М. Теория дефектов в твердых телах. Электронная структура дефектов в диэлектриках и полупроводниках. – М.: Мир, 1978. – Т.1. – 571 с.
55. Черчиньяни К. Теория и приложения уравнения Больцмана. – М.: Мир, 1978. – 496 с.
56. Lopez-Otero А. The use of a phase diagram as a guide for the growth of PbTe films // Appl. Phys. Lett. –1975. – No26(8). – Р. 470-472.
57. Крегер Ф. Химия несовершенных кристаллов. – М.: Мир, 1969. – 654 с.
58. Мосс Т., Баррел Г., Эллис Б. Полупроводниковая оптоэлектроника.– М.: Мир, 1976. – 432 с.
59. Зломанов В.П., Новоселова А.В. Р-Т-х-диаграммы состояния системы металл-халькогены. – М.: Наука, 1987. – 208 с.
60. Гаськов А.М., Зломанов В.П., Новоселова А.В. Область гомогенности теллурида свинца // Изв. АН СССР. Неорган. материалы. – 1987. – No15(8). – С. 1476-1478.
61. Винецкий В.Л., Холодарь Г.А. Статистическое взаимодействие электронов и дефектов в полупроводниках. – К.: Наук. думка, 1969.– 188 с.
62. Пайерлс Р. Сюрпризы в теоретической физике. – М.: Наука, 1988. – 176 с.
63. Кривоглаз М.А, Карасевский А.И. О возможности существования равновесной дисперсной фазы, содержащей металлические частицы// ЖЭТ. – 1972. –,No 63(2). – С. 670-683.
64. Кривоглаз М.А. Диффузное рассеяние рентгеновских лучей и нейтронов на флуктуационных неоднородностях в неидеальных кристаллах. – К.: Наук. думка, 1984. – 288 с.
65. Антиструктурные дефекты в полупроводниках типа PbTe / В.Ф.Мастеров, С.И.Бондаревский, Ф.С.Насрединов, Н.П.Серегин, П.П.Серегин. // ФТП. – 1999. – No33(7). – С. 772-773.
66. Зломанов В.П., Матвеев О.В., Новоселова А.В. Физико-химическое исследование селенида свинца // Вестник Моск. ун-та. Химия. – 1967. – No5. – С. 81-89.
67. Зломанов В.П., Матвеев О.В., Новоселова А.В. Определение констант равновесия дефектов в селенида свинца // Вест. Моск. унив. – 1967. – No6. – С. 67-71.
68. Прокопів В.В. Уточнення констант рівноваги квазіхімічних реакцій утворення власних атомних дефектів в селеніді свинцю // Укр. хім. журн. – 2001. – No67(6). – С. 81-83.
69. Egerton P.F., Juhasz С. The effect of oxygen on epitaxial PbTe, PbSe and PbS films // Thin Solid Films. – 1969. – No4(4). – Р. 239-253.
70. Mclashan S.R.L., King R.M., Parker E.H.C. . Modification to PbTe and their interactions with oxygen produced by localited electron irradiation// Proc. of Sixth annual Conference on the Physics of Compound Semiconductor Interfaces. Pacific Grove. Calf. 30 Jan.–1 Fefr. – 1979. – No16(5). – Р. 1174-1177.
71. Mclane G., Zemel J.N. Surface interaction of H and O2 on thin PbTe epitaxic films // Thin Solid Films. – 1971. – No7(3-4). – Р. 229-246.
72. Бойков Ю.А., Кутасов В.А. Влияние адсорбированного кислорода на электрофизические свойства пленок PbTe // ФТТ. – 1983. –
No25(4). – С. 1248-1251.
73. Влияние кислорода на барьерные эффекты в блочных монокристаллических пленках p-PbTe / В.В.Горбачев, З.М.Дашевский, Т.М.Ерусалименая и др. // ФТП. – 1984. – No18(6). – С. 1118-1120.
74. Parker E.H., Williams D. The kinetics and electrical effects of oxygen sorption on uncontaminated PbTe thin films // Thin Solid Films. – 1976.– No35(3). – Р. 373-395.
75. Оже-электронный микроанализ окисленного поликристаллического слоя сульфида свинца / А.М.Гаськов, А.А.Гольденвейзер, И.А.Соколов, .П.Зломанов, А.В.Новоселова // ДАН СССР. – 1983.– No26(3). – С. 607-609.
76. Левченко В.И., Постнова Л.И., Дикарева В.В. Некоторые особенности абсорбции кислорода пленками сульфида свинца // ФТП. – 1994. – No28(5). – С. 861-866.
77. Joung J.J., Zemel J.N. Kinetics of the hydrogen effect on PbSe epitaxial films // Thin Solid Films. – 1976. – No31(1). – Р. 25-37.
78. Рувінський Б.М. Рівноважні концентрації носіїв струму і дефектів у плівках PbSe при вирощуванні з парової фази і окисленні // Фізика і хімія твердого тіла. – 2001. – No2(4). – С. 565-577.
79. Рувинский Б.М., Фреик Д.М., Рувинский М.А. Влияние технологических факторов на дефектную подсистему пленок PbSe при парофазной эпитаксии с участием кислорода // Сб. докладов Международного симпозиума «Тонкие пленки в оптике и электронике». – Харьков: Контраст, 2002. – С. 125-129.
80. Lead Chalcogenides: Physics and Applications (Optoelectronic Properities of Semiconductors and Superlattices), ed. by D.Khokhlov. – Taylor & Francis, 2002. – 720 p.
81. Булярский С.В., Светухин В.В., Львов П.Е. Термодинамика комплексообразования и кластеризации дефектов в полупроводниках // ФТП. – 2000. – No34(4). – С. 385-388.
82. Бабич В.М., Блецкан Н.Н., Венгер Е.Ф. Кислород в монокристаллах кремния. – К.: Интерпрес ЛТД, 1997. – 240 с..
83. Фистуль В.И. Новые материалы. Состояние, проблемы, перспективы. – М.: МИСИС, 1995. – 141 с.
84. Рувинский Б.М. Вплив технологічних факторів на дефектну підсистему і електронні процеси у плівках халькогенідів свинцю PbTe, PbSe і PbS // Дис. на здобуття наукового ступеня канд. ф.-м. наук. – Івано-Франківськ, 2002. – 138 с.
Опубліковано
2019-03-08
Розділ
Фізика і хімія твердого тіла

##plugins.generic.recommendByAuthor.heading##