ФІЗИКО-ТЕХНОЛОГІЧНІ АСПЕКТИ МОДЕЛЮВАННЯ НИЗЬКОТЕМПЕРАТУРНОЇ ЕПІТАКСІЇ ШАРУВАТИХ СТРУКТУР КРЕМНІЮ ТА ГАЛІЮ АРСЕНІДУ

  • Степан Петрович Новосядлий Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника
  • Андрій Іванович Терлецький Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника
  • Оксана Богданівна Фрик Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника
Ключові слова: епітаксія, монокремній, галію арсенід, дефектоутворення невідповідності, гетероструктури, надґратки

Анотація

Розглянуто питання технології вирощування епітаксійних шарів монокремнію та галію арсеніду, які використовують для створення
компонентів великих інтегральних мікросхем. Досліджено процеси низькотемпературної епітаксії та їхні моделі при формуванні субмікронних структур ВІС як на моно-Si так і на GaAs. Така технологія дозволяє формувати структури GaAs на Si-підкладках.

Посилання

1. Новосядлий С.П. Суб- і наномікронна технологія структур ВІС /С.П. Новосядлий. – Івано-Франківськ: Місто НВ, 2010. – 454 с.
2. Новосядлий С.П. Мезепіпланарна технологія – як основа в організації субмікронних суміжних Ві-К-Д-МОН структур ВІС / С.П. Новосядлий, В.М. Бережанський // Восточно-Европейский журнал передовых технологий. – 2007. – Т.25. – No.1(1). – C. 40-45.
3. Патент України на корисну модель No68203. Спосіб формування епітаксійних арсенід-галієвих шарів на монокристалічних кремнієвих підкладках / С.П. Новосядлий , В.М. Вівчарук , Т.П. Кіндрат. – No u201104229; заявл. 07.04.2011; опубл. 26.03.2012, бюл. No6.
4. Круковский С. И. Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs/n-GaAs-AlGaAs / С.И. Круковский, Ю.Е. Николаенко // Технологии и конструкции в электронной аппаратуре. – 2003. – No.6. – C. 39-40.
5.Shimokawa, R. Very low temperature epitaxial of Silicon Films for Solar Cells / R. Shimokawa, M. Yamanaka, I. Sakata // Jap. Journal of Applied Physics. – 2007. – Vol.46. – No12. – P. 7612-7618.
6. Мильвидский М. Г. Структурные дефекты в эпитаксиальных слоях полупроводников / М.Г. Мильвидский, В.Б. Освенский. – М.: Металлургия, – 1985. – 144 с.
Опубліковано
2019-02-09
Як цитувати
Новосядлий, С. П., Терлецький, А. І., & Фрик, О. Б. (2019). ФІЗИКО-ТЕХНОЛОГІЧНІ АСПЕКТИ МОДЕЛЮВАННЯ НИЗЬКОТЕМПЕРАТУРНОЇ ЕПІТАКСІЇ ШАРУВАТИХ СТРУКТУР КРЕМНІЮ ТА ГАЛІЮ АРСЕНІДУ. PRECARPATHIAN BULLETIN OF THE SHEVCHENKO SCIENTIFIC SOCIETY Number, (1(45), 63-79. вилучено із http://pvntsh.nung.edu.ua/index.php/number/article/view/14
Розділ
Математика та механіка

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають